ZHCUC75 August 2024 LMG2100R026
LMG2100R026 器件是一款具有集成驅動器的 100V 氮化鎵 (GaN) 半橋電源模塊。該器件使用增強模式 GaN FET 提供了一個集成功率級。LMG2100R026 器件包含兩個 GaN FET，它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅動器驅動。該指南顯示了電路和物料清單，其中描述了如何為電路板供電以及如何設置電路板以獲得特定的穩定電壓。EVM 板旨在加速 LMG2100R026 的評估。該電路板并不用作獨立產品，而是用于評估 LMG2100R026 的開關性能。
此評估模塊可通過提供外部柵極信號配置為降壓或升壓模式。外部散熱器用于測試功率高達 750W 的這一模塊。需要外部電源電壓（5.5V 至 10V）來為 LMG2100R026 和死區時間生成電路供電。