ZHCUAZ0A March 2023 – September 2023 UCC14130-Q1 , UCC14131-Q1
1.2 引腳配置和功能
圖 1-1 DWN 封裝，36 引腳 SSOP（頂視圖）
表 1-2 引腳功能（請(qǐng)參閱并遵照數(shù)據(jù)表）
| 引腳 | 1 類 | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| GNDP | 1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18 | G | VIN 的初級(jí)側(cè)接地連接。引腳 1、2 和 5 是模擬地。引腳 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17 和 18 是電源地。在覆銅上放置幾個(gè)過孔以進(jìn)行散熱。 |
| PG | 3 | O | 低電平有效電源正常開漏輸出引腳。當(dāng) (UVLO ≤ VVIN ≤ OVLO)、(UVP1 ≤ (VDD – VEE) ≤ OVP1)、TJ_Primary ≤ TSHUTPPRIMARY_RISE 和 TJ_secondary ≤ TSHUTSECONDARY_RISE 時(shí)，PG 保持低電平 |
| ENA | 4 | I | 啟用引腳。強(qiáng)制 ENA 為低電平會(huì)禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。 |
| VIN | 6、7 | P | 初級(jí)輸入電壓。引腳 6 用于模擬輸入，引腳 7 用于電源輸入。對(duì)于引腳 7，將兩個(gè)并聯(lián)的 10μF 陶瓷電容器從電源 VIN 引腳 7 連接到電源 GNDP 引腳 8。在引腳 7 和引腳 8 附近連接一個(gè) 0.1μF 高頻旁路陶瓷電容器。 |
| VEE | 19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36 | G | 用于 VDD 的次級(jí)側(cè)參考連接。VEE 引腳用于高電流返回路徑。 |
| VDD | 28、29 | P | 來自變壓器的次級(jí)側(cè)隔離式輸出電壓。從 VDD 至 VEE 連接一個(gè) 10μF 和一個(gè)并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器是高頻旁路，必須靠近 IC 引腳。 |
| RLIM | 32 | P | 用于限制來自 VDD 的拉電流的第二個(gè)次級(jí)側(cè)隔離式輸出電壓電阻器。 |
| FBVEE | 33 | I | 反饋輸出電壓檢測(cè)引腳用于調(diào)節(jié)輸出電壓。 |
| FBVDD | 34 | I | 反饋 (VDD – VEE) 輸出電壓檢測(cè)引腳用于調(diào)整輸出 (VDD – VEE) 電壓。在 VDD 和 VEE 之間連接一個(gè)電阻分壓器，使中點(diǎn)連接到 FBVDD，調(diào)節(jié)時(shí)的等效 FBVDD 電壓為 2.5V。在低側(cè)反饋電阻并聯(lián)一個(gè) 330pF 陶瓷電容，用于高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或底層（兩層通過過孔連接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引腳。 |
| VEEA | 35 | G | 用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級(jí)側(cè)模擬檢測(cè)參考連接。將低側(cè)反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 VEEA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD 或 FBVEE。連接到次級(jí)側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)最低電壓基準(zhǔn) VEE。使用單點(diǎn)連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 VEEA 引腳放置。 |
(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出