ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN FET 的開關(guān)速度比 MOSFET 快得多，因此開關(guān)期間（導(dǎo)通和關(guān)斷）的轉(zhuǎn)換時間更短。這可以降低開關(guān)損耗，從而進(jìn)一步減少轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生的熱量。
相比之下，由于開關(guān)時間更長，MOSFET 更慢并在轉(zhuǎn)換期間會產(chǎn)生更多熱量，這在高頻條件下尤其明顯。