ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
在給定的擊穿電壓和裸片尺寸下,GaN FET 具有更低的傳導損耗,因為其 RDS(on) 明顯比硅 MOSFET 更低。這是因為 GaN 具有出色的材料特性。電流流過器件時,這會導致功耗降低,從而減少整體發(fā)熱。這一點在高開關頻率下尤其明顯,高開關頻率在 LLC 諧振轉換器中很常見。
MOSFET 也很高效但傳導損耗較大,因為其 RDS(on) 隨溫度和電壓增大的速度更快。