ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN FET 可實現更小巧、更緊湊的設計和更高的功率密度。由于效率更高且熱性能更好，使用 GaN 的轉換器可以在更高的功率級別下運行，同時確保熱條件始終可控。
由于散熱要求較高，基于 MOSFET 的轉換器需要更大，或需要更復雜的散熱系統才能處理相同的功率級別。