ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
2.3 寄生電容減小
GaN FET 通常具有較低的寄生電容，這意味著在開關轉換期間對這些電容進行充電和放電會產生較少的能量損耗。這會降低電源轉換器的總熱負荷（效率更高）。
MOSFET 具有更高的寄生電容，這會導致更高的開關損耗，因而產生更多熱量。
LLC 諧振控制器使我們能夠實現零電壓開關，而 ZVS 的原理是在漏源電壓 (VDS) 為零時導通開關元件。根據這一知識，我們可以假設在 LLC 功率級轉換期間 (VDS = 0V)，寄生電容 CGS 和 CGD 可視為零。那么，總輸入電容 CISS (CGS + CGD) 視為零。
→在使用 ZVS 的拓撲中，影響開關性能的寄生電容則是總輸出電容 COSS。
方程式 1.
方程式 2.
圖 2-1 GaN FET 寄生模型在以高頻開關運行的 ZVS 拓撲中，使用具有較低且穩定的 COSS 值的開關元件實現高效率至關重要。圖 2-2 和圖 2-3 中的示例展示了在開關轉換期間 COSS 如何隨 VDS 變化，以及典型 650V MOSFET 和 GaN FET 上 COSS 值的差異。
圖 2-2 650V MOSFET 230m?（典型值）
圖 2-3 650V GaN FET 270mΩ（典型值）