用于執行此實驗的 UCC28780EVM-021 EVM 最初具有一個帶 34kΩ 偏置電阻的 ATL431 分流基準。安裝測試探頭后，在 40W 負載下測得的平均陰極電壓 V_KA 為 16.9V。在將新的并聯基準焊接到電路板上進行測試時，必須確定新的偏置電流。方程式 3 用于計算所需的新偏置電阻 R_bias，為簡單起見，將 16.9V 假定為陰極電壓 V_KA。I_KA(min) 是從新器件的數據表中提取的，V_out 是使用方程式 1 求出的。由于需要使用反饋電流來設置該輸出電壓，陰極電壓 V_KA 會根據編程的輸出電壓進行變化。TLVH432 的內部基準電壓較低，為 1.24V，這意味著已編程的輸出電壓要低得多，因此 R₂ 降至 10kΩ，從而將已編程的輸出電壓更改為 19.855V。在 40W 負載下測得的 TLVH432 陰極電壓 V_KA 為 18.27V，然后在方程式 3 中用其計算偏置電阻 R_bias。為 40W 負載的每個并聯基準提供的偏置電阻和偏置電流如表 4-1 所示。

以下示波器圖像展示了三種負載條件下每個并聯基準的穩態性能。

圖 4-3 TL431 空載

圖 4-5 TL431 40W 負載

圖 4-7 TLVH432 20W 負載

圖 4-9 ATL431 空載

圖 4-11 ATL431 40W 負載

圖 4-13 TL431LI 20W 負載

圖 4-15 ATL431LI 空載

圖 4-17 ATL431LI 40W 負載

圖 4-4 TL431 20W 負載

圖 4-6 TLVH432 空載

圖 4-8 TLVH432 40W 負載

圖 4-10 ATL431 20W 負載

圖 4-12 TL431LI 空載

圖 4-14 TL431LI 20W 負載

圖 4-16 ATL431LI 20W 負載

我們測量了 Vout，將其作為所展示的各個圖的預期編程值，V₁ 的測量值略低于 V_out。V_Anode 和 V_KA 在不同的負載條件下發生變化，以修改通過光耦合器二極管的次級側反饋電流 I_{FB(secondary)}。V_KA 的這一變化也降低了在較大負載下提供給并聯基準的偏置電流 I_bias，這就是在滿載條件下將 I_bias 確定為 I_KA(min) 的原因所在。