ZHCAD91 October 2023 ATL431 , ATL431LI , TL431 , TL431LI , TLVH432
4 方法
為了證明某些并聯基準相對于其他并聯基準的性能改進，TL431、TLVH432、ATL431、TL431LI 和 ATL431LI 都在具有 SSR 的反激式 EVM（評估模塊）UCC28780EVM-021 上使用各自所需的偏置電流進行了單獨測試。此反激式 EVM 使用圖 2-4 中所示的偏置拓撲。本實驗將一個電子負載連接到反激式輸出，以在空載條件（待機模式）、20W 負載和 40W 負載下測試每個并聯基準。此 EVM 由隔離式 120V 60Hz 電源通過隔離變壓器和自耦變壓器供電。偏置電阻是按照節 2.2中的步驟確定的，其中該電阻設置了 40W 負載下的 Ibias = IKA(min)。在 EVM 上焊接了幾個測試點，以正確分析結果，從而確定光耦合器二極管反饋電流 IFB(secondary)、偏置電流 Ibias 和輸出電壓 Vout。此測試設置如圖 4-1 所示，其中展示了正在測試的實際 EVM，而圖 4-2 展示了完整的反饋網絡，包括測試點和補償電容器。
圖 4-1 EVM 測試板設置
圖 4-2 控制網絡探頭連接