并聯(lián)基準需要最小陰極電流才能正常運行。該電流在每個器件的數(shù)據(jù)表中提供，并且在不同器件之間可能存在很大差異。使用偏置電阻來驗證這些并聯(lián)基準是否正常運行，以便偏置電流流入并聯(lián)基準陰極而不影響通過光耦合器的反饋信號。有兩種常見的拓撲可用于對 SSR 的并聯(lián)基準進行偏置；一種拓撲將偏置電阻與光耦合器二極管并聯(lián)，而另一種拓撲則將該偏置電阻直接從系統(tǒng)輸出端置于并聯(lián)基準陰極。

圖 2-3 對并聯(lián)基準進行偏置的拓撲 1

如圖 2-4 所示，當偏置電阻 R_bias 與光耦合器二極管并聯(lián)時，最小偏置電阻一般可以用方程式 2 計算得出，其中 V_F(drop) 是二極管的預(yù)期正向壓降，I_KA(min) 是所選并聯(lián)基準的最小陰極電流。

光耦合器二極管兩端的正向壓降是非線性的，隨正向電流和溫度而變化。當反激式轉(zhuǎn)換器受到最大負載條件的影響時，光耦合器的穩(wěn)態(tài)正向電流為最小值（由于需要 PWM 控制器提供更高的功率輸出），這會降低光耦合器二極管的正向壓降。這表明在最大負載條件下，提供給并聯(lián)基準的偏置電流已最小化，這意味著在選擇 R_bias 時，可在方程式 2 中使用最小預(yù)期正向壓降 V_F(drop)，以防止反激式轉(zhuǎn)換器在最大負載條件下出現(xiàn)意外偏置不足。這可以確保并聯(lián)基準在所有負載條件下均會正確偏置。

圖 2-4 對并聯(lián)基準進行偏置的拓撲 2

在圖 2-4 所示的第二種拓撲中，反激式輸出與并聯(lián)基準陰極引腳之間建立了偏置電阻。并聯(lián)基準控制光耦合器電流并充當誤差放大器。為此拓撲選擇偏置電阻與之前的拓撲類似；但是，由于必須考慮光耦合器電阻兩端的額外壓降，因此該偏置電阻的預(yù)期壓降在不同負載條件下變化更大。

方程式 3 展示了用于計算最大偏置電阻 R_bias 的公式。陰極電壓 V_KA 是由經(jīng)過次級側(cè)光耦二極管的預(yù)期反饋電流確定的，可以用輸出電壓 V_out 減去次級側(cè)光耦二極管和電阻的壓降計算出。將偏置電阻降至此計算值以下會使偏置電流升至高于 I_KA(min)，從而耗散額外功率，但性能沒有明顯改善。在最大負載條件下，預(yù)計流經(jīng)光耦合器二極管 IFB（次級）的反饋電流將低于空載條件（待機模式）下的該電流。這表明這些元件兩端的壓降有所減少，從而增大了并聯(lián)基準處的陰極電壓 V_KA。因此，與第一種拓撲類似，偏置電流 I_bias 在不同負載條件下會發(fā)生變化，其中當反激式轉(zhuǎn)換器受到最大負載條件的影響時，偏置電流處于最小值。選擇偏置電阻 R_bias，以便在所需最大負載條件下為并聯(lián)基準提供最小陰極電流 I_KA(min)，從而使該基準在整個負載范圍內(nèi)都能正確偏置。

在這兩種拓撲結(jié)構(gòu)中，流入并聯(lián)基準陰極的電流 I_KA 是流經(jīng)光耦合器二極管的電流 I_F(drop) 和偏置電流 I_bias 的總和。施加到 REF 引腳的電壓決定了并聯(lián)基準分流到地的陰極電流大小。因此，人們可能認為增大 I_bias 會減小通過光耦合器二極管的電流 I_F(drop)，從而影響反饋環(huán)路；但情況并非如此。這是因為，當 REF 電壓接近內(nèi)部基準電壓時，并聯(lián)基準的跨導接近無窮大，如圖 2-5 所示。

圖 2-5 V_ref 增益比較

圖 2-5 顯示，如果向并聯(lián)基準提供了過多的偏置電流，則 REF 電壓不需要明顯增大，即可將這個額外的電流分流到接地端。它會偏置到接近導通電流。這表明，對并聯(lián)基準進行過偏置不會對通過光耦合器二極管的反饋電流 I_{FB(secondary)} 產(chǎn)生任何顯著影響。