ZHCABV9A January 2008 – November 2022 BQ27421-G1 , BQ27425-G2A , BQ27425-G2B , BQ27441-G1 , BQ27505-J2 , BQ27505-J3 , BQ27505-J4 , BQ27505-J5 , BQ27520-G4 , BQ27530-G1 , BQ27531-G1 , BQ27545-G1 , BQ27546-G1 , BQ27741-G1 , BQ40Z50 , BQ40Z50-R1 , BQ40Z50-R2
該算法區分 charge、discharge 和 relaxation 運行模式。在 charge 模式期間，DataRAM.Flags( ) [DSG] 位被清除，但在 discharge 和 relaxation 模式期間，它會被設置。每個模式的進入和退出由子類 Gas Gauging 中的 Data Flash (DF) 參數控制：圖 2-1 中對”電流閾值“部分進行了說明。當 DataRAM.Average Current( ) 低于 DF.Quit Current 超過 DF.Chg Relax Time 期限后，會退出充電模式并進入弛豫模式。當 DataRAM.Average Current( ) 低于 DF.Dsg Current Threshold 超過 DFQuit Relax Time 期限后，會進入放電模式。當 DataRAM.Average Current( ) 高于負 DF.Quit Current 閾值超過 DF.Dsg Relax Time 期限后，會退出放電模式并進入弛豫模式。當 DataRAM.Average Current( ) 高于 DF.Chg Current Threshold 超過 DF.Quit Relax Time 期限后，會進入充電模式。