ZHCABV9A January 2008 – November 2022 BQ27421-G1 , BQ27425-G2A , BQ27425-G2B , BQ27441-G1 , BQ27505-J2 , BQ27505-J3 , BQ27505-J4 , BQ27505-J5 , BQ27520-G4 , BQ27530-G1 , BQ27531-G1 , BQ27545-G1 , BQ27546-G1 , BQ27741-G1 , BQ40Z50 , BQ40Z50-R1 , BQ40Z50-R2
如前所述，DataRAM.Full Charge Capacity( ) 僅在放電期間的幾個點更新，而 DataRAM.Remaining Capacity( ) 基于集成電荷連續(xù)（每 1 秒）更新。DataRAM.Remaining Capacity( ) = RM – Q_integrated，其中 Q_integrated 是自上次 RM 計算以來傳遞的電荷。DataRAM.Remaining Capacity( ) 的值還用于每秒更新相對 DataRAM.State Of Charge( )，因為 DataRAM.State Of Charge( )= DataRAM.Remaining Capacity( ) × 100/ DataRAM.Full Charge Capacity( )。
相同的值還用于計算清空運行時間，因為 DataRAM.Time To Empty( ) = DataRAM.Remaining Capacity( ) / DataRAM.Average Current( )。
請注意，即使 RM 仿真在恒定功率模式下運行 (DF.Load Mode = 1)，也可以 mAh 或 10mWh 值完成 DataRAM.Remaining Capacity( ) 和 DataRAM.Time To Empty( ) 報告。這些值總是以 mAh 為單位報告，或從 mAh 值得出：
這些值始終以 mWh 為單位報告或源自 mWh 值：
在恒定功率模式 (DF.LoadMode = 1) 的情況下，清空運行時間計算為 DataRAM.TimeToEmpty( ) = DataRAM.AvailableEnergy( ) / DataRAM.AveragePower( )，并且通常對于大多數(shù)器件來說更準確，因為在低電壓下會增加功耗。