放電過程中會(huì)更新電阻，這在圖 2-3 中進(jìn)行了總結(jié)。第一次電阻更新發(fā)生在一定的等待時(shí)間之后，以防止負(fù)載開始后的瞬態(tài)失真。默認(rèn)情況下，等待時(shí)間為 500 秒，但如果最大放電持續(xù)時(shí)間 (DF.Max Dsg Duration) 少于 500 秒，則之后的更新等待時(shí)間會(huì)減少。等待時(shí)間定義為 DF.Max Dsg Duration –200。等待時(shí)間可縮短至 100 秒。

通過將測量電壓與同一 DOD 下的 OCV 值進(jìn)行比較來進(jìn)行計(jì)算，OCV 值取自 OCV(DOD,T) 表：

dV = V – OCV(DOD,T)

R(DOD) = dV/I

連續(xù)進(jìn)行電阻測量并存儲(chǔ)在 RAM 中。

每次超過 DOD 電荷（DOD 電荷為 PassedCharge/Q_max）的 11.1% 后，數(shù)據(jù)閃存中的電阻都會(huì)更新（在 DF.Ra Table 中）。當(dāng) DOD 達(dá)到 77.7% 時(shí)，電阻會(huì)在每次超過 3.3% 后更新。在放電終止后進(jìn)行最終電阻更新。。

第一次更新網(wǎng)格點(diǎn)電阻時(shí)，常數(shù) DF.Update Status 增加 1（例如，如果之前沒有更新 Q_max，則從 0 增加到 1；如果之前更新了 Q_max，則從 1 增加到 2）。

在存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)閃存之前，電阻值歸一化為 0°C，即 Ra[dod] = R[dod]/exp(Rb[dod]*T)，其中 R 是給定 DOD 處的測量電阻值。Rb[DOD] 是存儲(chǔ)為保留數(shù)據(jù)閃存表的給定 DOD 處阻抗變化的溫度系數(shù)值，T 是以 °C 為單位的溫度。請注意，歸一化為 0°C 的電阻值略大于室溫下的值，因此不能直接與 R=dV/I 值進(jìn)行比較。

圖 2-3 阻抗更新

DOD 高于當(dāng)前更新的網(wǎng)格點(diǎn)的電阻值按與當(dāng)前網(wǎng)格點(diǎn)變化相同的因子縮放，例如按因子 Ra_new/Ra_old 縮放。這樣，實(shí)現(xiàn)了電阻分布的更快收斂。

DF.Ra Table 中的值以毫歐為單位存儲(chǔ)，格式為 DF.PackX Ra N，其中 X 是從 0 到 1 的電池組編號，N 是從 0 到 14 的網(wǎng)格點(diǎn)編號，對應(yīng)于 11.1% 的 DOD 增量，直到 77.7%，然后是 3.3% 的 DOD 增量。在 bq27500 中，兩個(gè)支持的電池包中的每個(gè)電池包都有兩個(gè) Ra 表（Ra 和 Rax）。為了節(jié)省數(shù)據(jù)閃存空間，對表進(jìn)行了壓縮。壓縮中使用了兩個(gè)附加參數(shù)（Base R 和 Gain）。I=1..14 的 decompression 公式為
R[i] = Base R + sum(R_compressed[k], k = 1 ..I)×2^Gain，并且 R[0]=Base R。

DF.PackX Ra flag 和 DF.PackX Rax flag 用于交換數(shù)據(jù)閃存列的使用，以減少 DF 寫入次數(shù)。標(biāo)志值 55 表示當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)列，而 FF 表示當(dāng)前未使用的數(shù)據(jù)列。

在 DF.Update Status 設(shè)置為 2 之前，如果在電阻更新期間 DOD 超過 100%，或電阻出現(xiàn)負(fù)值，這兩種情況都表明 DF.Q_max Cellx 初始猜測過小，DF.Qmax Cell x 將增加 11.1%，并且將重新計(jì)算所有電阻。這是第一個(gè) learning 周期內(nèi)的正常行為。然而，如果 DF.Qmax Cell x 的初始猜測與正確值相差太遠(yuǎn)，則可能需要第二個(gè)周期才能實(shí)現(xiàn)完全電阻準(zhǔn)確性。為了避免這種情況，請將 DF.Qmax Cell x 設(shè)置為電池制造商指定的值，再乘以并聯(lián)電池的數(shù)量。

將 DF.Update Status 設(shè)置為 2 后，電阻變化限制在其原始值的 5 倍以下和 0.2 倍以上，并限制為正值。