ZHCAAN8F May 2023 – August 2024 AM67 , AM67A , AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA821U , DRA821U-Q1 , DRA829J , DRA829J-Q1 , DRA829V , DRA829V-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4AH-Q1 , TDA4AL-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4APE-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1 , TDA4VP-Q1 , TDA4VPE-Q1
典型的 DDR 接口布線堆疊方式為十層堆疊。不過,這只能在所含布線空間具有較大禁止區域的電路板上完成。如果出現以下情況,則需要使用額外的層:
相對密集的電路板設計可能需要更多層才能正確實現 DDR 布線,從而滿足所有規則。
所有 DDR 信號都必須在一個實心 VSS 參考平面附近布線。當 DDR 布線區域中存在多個 VSS 參考平面時,必須在過孔將信號傳輸到不同 VSS 參考平面之處的附近實現縫合過孔。這是維持低電感返回電流路徑所必需的。
強烈建議將所有 DDR 信號作為帶狀線進行布線。某些 PCB 堆疊在 2 個相鄰的層上實現了信號布線。不建議這樣做,因為這會導致與相鄰層上的另一條布線平行的任何布線上發生串擾,即使距離很短也會如此。建議將 LPDDR4 信號布線到更靠近堆疊內 SoC 的 PCB 層上,從而縮短信號通過過孔的傳輸時間。離 SoC 越遠的 PCB 層通過過孔的行程時間將越長,這會增加過孔之間的耦合。信號耦合和過孔耦合都會導致更小的時序裕量。
請注意,過孔長度越短,過孔殘樁可能越長(如果使用標準鉆孔),因此也要加以考慮。可以進行仿真以確定過孔殘樁長度是否會產生問題。
PCB 材料是另一個重要的考慮因素。根據設計規格,可能需要使用更高頻率的材料,例如 ISOLA I-Speed 或等效/更好的材料,以實現最高數據速率 (4266Mbps)。標準 FR4 產品如 370HR 可用于較低的數據速率。在特定情況下,這對于更高的數據速率來說也足夠了。
| 編號 | 參數(6) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| PS1 | PCB 布線加平面層 | 10 | |||
| PS2 | 信號布線層 | 6 | |||
| PS3 | DDR 布線區域下的完整 VSS 參考層 (1) | 1 | |||
| PS4 | DDR 布線區域下的完整 VDDS_DDR 電源參考層 (1) | 1 | |||
| PS5 | DDR 布線區域內允許的參考平面切口數 (2) | 0 | |||
| PS6 | DDR 布線層和參考平面之間的層數 (3) | 0 | |||
| PS7 | PCB 布線特征尺寸(即銅布線、焊盤、導電平面等) | 4 | Mil | ||
| PS8 | PCB 布線寬度 (w) | 4 | Mil | ||
| PS9 | 點對點單端阻抗 | 40 | ? | ||
| PS10 | 點對點差分阻抗 | 80 | ? | ||
| PS11 | T 分支單端阻抗 (5) | 35/70 | ? | ||
| PS12 | T 分支差分阻抗 (5) | 70/140 | ? | ||
| PS13 | 阻抗控制 (4) | Z-10% | Z | Z+10% | ? |