ZHCAAJ5A July 2018 – July 2021 TAS5825M
采用低成本鐵氧體磁珠濾波器來抑制 EMI 。將它們靠近放大器輸出端放置，旨在盡可能減少環路天線。在低頻時，鐵氧體磁珠充當沒有直流壓降的 0Ω 電阻。不過，在高于 1MHz 的頻率下，鐵氧體磁珠的阻抗會顯著增加，可抑制輻射。鐵氧體磁珠對系統的 THD+N 也起著重要作用。經測試并與 TAS5825M 器件配合良好的鐵氧體磁珠示例包括 Murata（村田）的 NFZ2MSM 系列。
鐵氧體磁珠的權衡因素是其阻抗和額定電流。如果額定電流能夠滿足系統要求，更大的阻抗意味著更大的 EMI 裕度，特別是針對 5MHz 至 50MHz 的頻率范圍。典型值為 300Ω@100MHz，在大多數應用中可滿足 EMI 要求。
電容器的權衡因素是其電容和空閑電流。較大的電容將帶來較大的空閑電流。在 5MHz 至 100MHz 范圍內使用 2.2nF 而非 1nF 電容器會很有幫助。