ZHCAAJ5A July 2018 – July 2021 TAS5825M
除了展頻技術之外，TAS5825M 器件還采用了去相電路，可在不降低音頻性能的情況下進一步減少電磁發射。
去相電路通過交錯兩個音頻通道之間的切換時序來改善 EMI 和噪聲性能。這種經改善的 EMI 和噪聲性能可降低 PVDD 線路上的傳導發射，原因是兩個音頻通道的輸出紋波電流將出現異相，而來自 PVDD 線路的紋波峰值電流值將因此減少到一半。
此外，TAS5825M 支持多通道之間的 45° 相移，從而可降低多器件系統中的 EMI。請參閱 TAS5825M 數據表中提供的更多詳細信息。