ZHCSN25A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購信息
8.2.2.1 選擇自舉和 VDD 電容器
為實現正常運行，自舉電容器必須確保 VHB-HS 電壓高于 UVLO 閾值。使用方程式 1 來計算自舉電容器允許的最大壓降 ΔVHB。
其中
- VDD 是柵極驅動器器件的電源電壓
- VDH 是自舉二極管正向壓降
- VHBL 是 HB 下降閾值 (VHBR(max) – VHBH)
在本示例中，自舉電容器的允許壓降為 2.4V。
通常情況下，建議盡量降低自舉電容器和 VDD 電容器上的紋波電壓。商業、工業和汽車應用中的常用紋波值為 0.5V。
使用方程式 2 來估算自舉電容器的每個開關周期所需的總電荷。
其中
- QG 是總 MOSFET 柵極電荷
- IHBS 是數據表中的 HB 至 VSS 漏電流
- DMax 是轉換器的最大占空比
- IHB 是數據表中的 HB 靜態電流
計算總電荷為 53.41nC。
接下來，使用方程式 3 估算最小自舉電容值。
計算出的最小自舉電容值為 22.25nF。請注意，這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實際應用中，自舉電容值必須大于計算值，才能確保在功率級可能因各種瞬態條件而發生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中，建議使用 100nF 自舉電容器。此外，還建議預留足夠的裕度，并將自舉電容器盡可能靠近 HB 和 HS 引腳放置。此外，為過濾高頻噪音，還應與主旁路電容器并聯一個 0402、1000pF 低值小尺寸電容器。
對于該應用，請選擇 CBOOT 電容器，其規格如下：0.1μF，25V，X7R
一般而言，本地 VDD 旁路電容器必須大于自舉電容器（通常為自舉電容值的 10 倍）。對于該應用，請選擇 CVDD 電容器，其規格如下：1μF，25V，X7R
CVDD 電容器位于柵極驅動器的 VDD 和 VSS 引腳之間。與自舉電容器類似，將小尺寸低值電容器與主旁路電容器并聯。對于該應用，為過濾高頻噪音，請選用 0402、1000pF 電容器，并與主旁路電容器并聯。
自舉電容器和偏置電容器必須是具有 X7R 或更優電介質的陶瓷型電容器。選擇的電容器額定電壓應至少為其將承受最大電壓的兩倍。選擇該值是因為大多數陶瓷電容器在偏置時會大幅損失電容。該值還可提高系統的長期可靠性。