為實(shí)現(xiàn)高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的出色性能，必須遵循印刷線(xiàn)路板 (PWB) 布局布線(xiàn)指南。
- 應(yīng)在 VDD 和 VSS 引腳之間以及 HB 和 HS 引腳之間靠近器件的位置連接低 ESR/ESL 電容器，從而在外部 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)支持 VDD 和 HB 引腳消耗的高峰值電流。
- 為防止頂部 MOSFET 漏極出現(xiàn)大的電壓瞬變，必須在高側(cè) MOSFET 漏極和接地 (VSS) 之間連接一個(gè)低 ESR 電解電容器和一個(gè)高質(zhì)量陶瓷電容器。
- 為避免開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS) 引腳上出現(xiàn)大型負(fù)瞬變，必須盡可能減小高側(cè) MOSFET 源極和低側(cè) MOSFET（同步整流器）源極之間的寄生電感。
- 應(yīng)盡量避免 HS 層與接地 (VSS) 層重疊，以更大程度減少耦合到接地層的開(kāi)關(guān)噪聲。
- 散熱焊盤(pán)應(yīng)連接至大面積重型銅層，從而提高器件的熱性能。通常連接至與器件 VSS 相同的接地層。建議僅將該焊盤(pán)連接至 VSS 引腳。
- 接地注意事項(xiàng)：
- 設(shè)計(jì)接地連接的首要任務(wù)是將 MOSFET 柵極充放電的高峰值電流限制在盡量小的物理區(qū)域。這種限制降低了環(huán)路電感，能夠有效避免 MOSFET 柵極端子上的噪聲問(wèn)題。柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡量靠近 MOSFET。
- 第二個(gè)考慮因素是高電流路徑，其中包括自舉電容器、自舉二極管、本地接地基準(zhǔn)旁路電容器和低側(cè) MOSFET 體二極管。自舉電容器由以接地為基準(zhǔn)的 VDD 旁路電容器通過(guò)自舉二極管逐周期進(jìn)行重新充電。重新充電發(fā)生在短時(shí)間隔內(nèi)，需要高峰值電流。盡可能減小電路板上的環(huán)路長(zhǎng)度和面積對(duì)于確保可靠運(yùn)行至關(guān)重要。