ZHCSGY8E October 2017 – June 2024 UCC21520-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
訂購(gòu)信息
8.2.2.8 死區(qū)時(shí)間設(shè)置指南
對(duì)于采用半橋的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌敳亢偷撞烤w管之間的死區(qū)時(shí)間設(shè)置有助于防止在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)期間發(fā)生擊穿。
電氣表中的 UCC21520-Q1 死區(qū)時(shí)間規(guī)格定義為從一個(gè)通道下降沿的 90% 到另一個(gè)通道上升沿的 10% 的時(shí)間間隔（請(qǐng)參閱圖 6-4）。此定義可確保死區(qū)時(shí)間設(shè)置與負(fù)載條件無(wú)關(guān)，并通過(guò)制造測(cè)試保證線性度。但是，該死區(qū)時(shí)間設(shè)置可能不會(huì)反映功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)中的死區(qū)時(shí)間，因?yàn)樗绤^(qū)時(shí)間設(shè)置取決于外部柵極驅(qū)動(dòng)接通/關(guān)斷電阻器、直流鏈路開(kāi)關(guān)電壓/電流以及負(fù)載晶體管的輸入電容。
以下是有關(guān)如何為 UCC21520-Q1 選擇合適死區(qū)時(shí)間的建議：
其中
- DTsetting：UCC21520-Q1 死區(qū)時(shí)間設(shè)置（單位為 ns），DTSetting = 10 × RDT（單位為 kΩ）。
- DTReq：具有足夠裕度或 ZVS 要求的頂部和底部開(kāi)關(guān)的實(shí)際 VGS 信號(hào)之間的系統(tǒng)所需死區(qū)時(shí)間。
- TF_Sys：在負(fù)載、電壓/電流條件最壞的情況下，系統(tǒng)內(nèi)柵極關(guān)斷下降時(shí)間。
- TR_Sys：在負(fù)載、電壓/電流條件最壞的情況下，系統(tǒng)內(nèi)柵極導(dǎo)通上升時(shí)間。
- TD(on)：導(dǎo)通延遲時(shí)間，從晶體管柵極信號(hào)的 10% 到功率晶體管柵極閾值。
在本示例中，DTSetting 設(shè)為 250ns。
應(yīng)注意，UCC21520-Q1 死區(qū)時(shí)間設(shè)置由 DT 引腳配置決定（請(qǐng)參閱 節(jié) 7.4.2），它無(wú)法根據(jù)系統(tǒng)條件自動(dòng)微調(diào)死區(qū)時(shí)間。建議在 DT 引腳附近將一個(gè) <1nF 的陶瓷電容器與 RDT 并聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性能。