可提供此產品的更新版本
功能與比較器件相同,且具有相同引腳
UCC21520-Q1
- 符合汽車應用要求
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
- 器件溫度 1 級
- 功能安全質量管理型
- 結溫范圍:–40°C 至 +150°C
- 開關參數:
- 33ns 典型傳播延遲
- 20ns 最小脈沖寬度
- 6ns 最大脈寬失真
- 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 浪涌抗擾度高達 10kV
- 隔離層壽命 > 40 年
- 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
- 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍,可與數字控制器和模擬控制器連接
- 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
- 5V 和 8V VDD UVLO 選項
- 可編程的重疊和死區時間
- 可針對電源時序快速禁用
- 安全相關認證:
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增強型隔離
- 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5.7kVRMS 隔離
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準的 CSA 認證
- 符合 GB4943.1-2022 標準的 CQC 認證
UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅動器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。該驅動器可用于驅動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
輸入側通過一個 5.7kVRMS 增強型隔離柵與兩個輸出驅動器相隔離,其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。兩個二次側驅動器之間采用內部功能隔離,支持高達 1500VDC 的工作電壓。
每個驅動器可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個死區時間 (DT) 可編程的半橋驅動器。禁用引腳可同時關斷兩個輸出,在保持開路或接地時允許器件正常運行。作為一種失效防護機制,初級側邏輯故障會強制兩個輸出為低電平。
各個器件接受的 VDD 電源電壓高達 25V。憑借 3V 至 18V 寬輸入 VCCI 電壓范圍,該驅動器適用于連接模擬和數字控制器。所有電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能。
憑借所有這些高級特性,UCC21520-Q1 能夠實現高效率、高電源密度和穩健性。
申請了解更多信息
可提供 UCC21520-Q1 安全手冊和安全時基故障率報告。立即申請
您可能感興趣的相似產品
功能與比較器件相同,但引腳排列有所不同
技術文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 18 設計和開發
如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。
評估板
UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔離式雙通道柵極驅動器評估模塊
UCC21520EVM-286 適用于評估 UCC21520DW,后者是一種具備 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流能力的隔離式雙通道柵極驅動器。此 EVM 可以作為驅動功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的參考設計,具備 UCC21520 引腳功能識別、元件選擇指南以及 PCB 布局示例。
驅動程序或庫
FuSa supporting document
原理圖
Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)
SZZM003A.ZIP (1317 KB)
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業內超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。
借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?
在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?
在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
參考設計
TIDA-01604 — 效率為 98.6% 且適用于 HEV/EV 車載充電器的 6.6kW 圖騰柱 PFC 參考設計
此參考設計基于多個碳化硅 (SiC) MOSFET 而構建,該 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通過 SiC 隔離式柵極驅動器進行驅動。此設計采用了三相交錯技術并在連續導通模式 (CCM) 中運行,并且在 240V 輸入電壓和 6.6kW 全功率下效率高達 98.46%。C2000 控制器可實現切相和自適應死區時間控制,從而改善輕負載條件下的功率因數。柵極驅動器板(請參閱 TIDA-01605)能夠提供 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。柵極驅動器板能進行增強型隔離,可承受超過 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。