ZHCSE13L December 2007 – November 2024 TXS0108E
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
-
5 規格
- 5.1 絕對最大額定值
- 5.2 ESD 等級
- 5.3 建議運行條件
- 5.4 熱性能信息
- 5.5 電氣特性：TA = –40°C 至 85°C
- 5.6 時序要求：VCCA = 1.5V ± 0.1V
- 5.7 時序要求：VCCA = 1.8V ± 0.15V
- 5.8 時序要求：VCCA = 2.5V ± 0.2V
- 5.9 時序要求：VCCA = 3.3V ± 0.3V
- 5.10 開關特性：VCCA = 1.5V ± 0.1V
- 5.11 開關特性：VCCA = 1.8V ± 0.15V
- 5.12 開關特性：VCCA = 2.5V ± 0.2V
- 5.13 開關特性：VCCA = 3.3V ± 0.3V
- 5.14 工作特性：VCCA = 1.5V 至 1.5V，VCCB = 3.3V 至 3.3V
- 5.15 典型特性
- 6 參數測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.1 架構
圖 7-1 顯示了此應用在推挽和開漏模式下所需的半緩沖架構設計。該應用使用邊沿速率加速器電路（適用于高到低和低到高邊沿）、高導通電阻 N 溝道導通柵極晶體管（約為 300Ω 至 500Ω）以及上拉電阻器（用來提供直流偏置和驅動能力）來滿足這些要求。該設計不需要方向控制信號來控制從 A 到 B 或從 B 到 A 的數據流方向。最終的實現支持低速開漏操作和高速推挽操作。
圖 7-1 TXS0108E 單元的架構從 A 端口向 B 端口傳輸數據時，在上升沿期間，單穩態電路 (OS3) 會在短時間內開啟 PMOS 晶體管 (P2)，從而縮短從低電平到高電平的轉換時間。類似地，從 A 向 B 傳輸數據時，在下降沿期間，單穩態電路 (OS4) 會在短時間內開啟 N 溝道 MOSFET 晶體管 (N2)，從而加快高電平至低電平轉換。B 端口邊沿速率加速器由單穩態電路 OS3 和 OS4、晶體管 P2 和 N2 組成，用于根據在 A 端口上檢測到的高電平或低電平快速強制 B 端口進行相應的轉換。
從 B 端口向 A 端口傳輸數據時，在上升沿期間，單穩態電路 (OS1) 會在短時間內開啟 PMOS 晶體管 (P1)，從而縮短低電平至高電平的轉換時間。類似地，從 B 向 A 傳輸數據時，在下降沿期間，單穩態電路 (OS2) 會在短時間內開啟 NMOS 晶體管 (N1)，從而加快高電平至低電平轉換。A 端口邊沿速率加速器由單穩態電路 OS1 和 OS2、晶體管 P1 和 N1 元件以及邊沿速率加速器組成，用于根據在 B 端口上檢測到的高電平或低電平快速強制 A 端口進行相應的轉換。