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ZHCSXZ2 March 2025 TPSM8287B30

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封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

VCH|37

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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9.3.2.4 選擇輸出電容器

如果轉(zhuǎn)換器保持在穩(wěn)壓狀態(tài)，則所需的最小輸出電容由以下公式給出：

方程式 42.

C_{O U T (m i n) (r e g)} = (\frac{τ \times (1 + g_{m} \times R_{Comp1})}{2 \times π \times \frac{L}{N?} \times {BW}_{τ}}) (1 + \sqrt{{T O L}_{I N D}^{2} + {T O L}_{f S W}^{2}})

方程式 43.

C_{O U T (m i n) (r e g)} = (\frac{12.5 \times 10^{- 6} \times (1 + 1.5 \times 10^{- 3} \times 604)}{2 \times π \times \frac{50 \times 10^{- 9}}{2} \times 375 \times 10^{3}}) (1 + \sqrt{{20 %}^{2} + {10 %}^{2}}) = 235 μ F

如果轉(zhuǎn)換器環(huán)路飽和，則最小輸出電容由以下公式給出：

方程式 44.

C_{O U T (m i n) (s a t)} = \frac{1}{? V_{O U T}} (\frac{L \times {? I_{OUT(max)}}^{2}}{2 \times V_{O U T} \times N?} - \frac{? I_{OUT(step)} \times t_{t}}{2}) (1 + {T O L}_{I N D})

方程式 45.

C_{O U T (m i n) (s a t)} = \frac{1}{25.2 \times 10^{- 3}} (\frac{50 \times 10^{- 9} \times 13 . 8^{2}}{2 \times 0.6 \times 2} - \frac{13.8 \times 1 \times 10^{- 6}}{2}) (1 + 20 %) = - 97 μ F

C_{OUT(min)(sat)} 的負(fù)值結(jié)果表明，在給定的負(fù)載瞬態(tài)下，環(huán)路不會飽和，并且響應(yīng)受到帶寬的限制。在本例中，選擇 C_{OUT(min)(reg)} = 235μF，即兩個輸出電容值中的較大者。

表 9-3 列出了選擇的輸出電容器。將 2 × 22μF 電容器靠近兩個模塊的每個模塊放置，每個可提供約 15μF 的最小有效電容。將四個 47μF 電容器和四個 10μF 電容器放置在負(fù)載附近，以便提供接近典型負(fù)載所需總?cè)ヱ铍娙莸碾娙荨Ｃ總€ 47μF 電容器會產(chǎn)生大約 27μF 的有效電容，每個 10μF 電容器會產(chǎn)生大約 6μF 的有效電容。模塊內(nèi)部集成的電容器會提供額外的 2 × 14μF 有效電容。這些有效電容總計 220μF，非常接近前文計算得出的所需最小值。對于進(jìn)一步的計算，使用 C_{OUT_eff} = 220μF。

方程式 46 檢查是否大多數(shù)輸出電容都放置在負(fù)載處。如果比率小于 1，請增加負(fù)載處的電容，或?qū)⑵骷⑤敵鲭娙莺拓?fù)載彼此相鄰地放置，以便輸出電容之間沒有隔離。

方程式 46.

\frac{C_{LOAD_eff}}{C_{Converter_eff} + C_{Integrated_eff}} > 1

方程式 47.

\frac{4 \times 27 \times 10^{- 6} + 4 \times 6 \times 10^{- 6}}{4 \times 15 \times 10^{- 6} + 4 \times 7 \times 10^{- 6}} > 1

= True

方程式 48 根據(jù)有效輸出電容值計算輸出電壓紋波。

方程式 48.

V_{O U T (p - p)} = \frac{I_{L (PP)}}{8 \times C_{OUT_eff} \times f_{s w}}

方程式 49.

V_{O U T (p - p)} = \frac{3.6}{8 \times 220 \times 10^{- 6} \times 1.5 \times 10^{6}} = 1.4 m V

由于輸出電容器中的 ESR 和 ESL 以及應(yīng)用板寄生效應(yīng)，應(yīng)用中的紋波略高。