ZHCSXZ2 March 2025 TPSM8287B30
ADVANCE INFORMATION
在初始化過程中,器件會讀取 VSETx 引腳的狀態(tài),并根據(jù) 表 7-2 選擇默認(rèn)輸出電壓。請注意,VSETx 引腳還會選擇器件的 I2C 目標(biāo)地址以及寄存器 CONTROL2 中的 VRANGE 位設(shè)置。只能在 VIN 下電上電期間或通過 I2C 接口設(shè)置 RESET = 1 來讀取 VSETx 引腳。在 VIN 出現(xiàn)后更改配置不會影響寄存器內(nèi)容或 I2C 地址。請確保沒有雜散電流路徑連接到 VSETx 引腳,并且 VSETx 引腳與 GND 之間的寄生電容小于 100pF。為確保正常運(yùn)行,輸入電壓需要至少比所選輸出電壓高 1.5V。
| VSET1 | VSET2 | I2C 地址 | TPSM8287BxxL VOUT 電壓(1) | TPSM8287BxxH VOUT 電壓(2) |
|---|---|---|---|---|
| GND | GND | 0x45 | 400mV | 800mV |
| GND | 47kΩ 至 GND | 0x44 | 425mV | 850mV |
| GND | 47kΩ 至 VIN | 0x47 | 450mV | 900mV |
| GND | VIN | 0x46 | 475mV | 950mV |
| 47kΩ 至 GND | GND | 0x45 | 500mV | 1000mV |
| 47kΩ 至 GND | 47kΩ 至 GND | 0x44 | 525mV | 1050mV |
| 47kΩ 至 GND | 47kΩ 至 VIN | 0x47 | 550mV | 1100mV |
| 47kΩ 至 GND | VIN | 0x46 | 575mV | 1150mV |
| 47kΩ 至 VIN | GND | 0x45 | 600mV | 1200mV |
| 47kΩ 至 VIN | 47kΩ 至 GND | 0x44 | 625mV | 1250mV |
| 47kΩ 至 VIN | 47kΩ 至 VIN | 0x47 | 650mV | 1300mV |
| 47kΩ 至 VIN | VIN | 0x46 | 675mV | 1350mV |
| VIN | GND | 0x45 | 700mV | 1400mV |
| VIN | 47kΩ 至 GND | 0x44 | 725mV | 1450mV |
| VIN | 47kΩ 至 VIN | 0x47 | 750mV | 1500mV |
| VIN | VIN | 0x46 | 775mV | 1550mV |
如果您在器件已經(jīng)開始軟啟動序列時對新的輸出電壓設(shè)定點(diǎn) (VOUT[7:0])、輸出電壓范圍 (VRANGE[1:0]) 或軟啟動時間 (SSTIME[1:0]) 設(shè)置進(jìn)行編程,則在軟啟動序列完成之前,器件會忽略新值。輸出電壓先增大至 VSETx 引腳設(shè)置的目標(biāo)值,然后再增大或減小至通過 I2C 接口編程至器件的任何新值。如果您在 EN 引腳為低電平時更改 VOUT[7:0]、VRAMP[1:0] 或 SSTIME[1:0],則器件會在您下次啟用時使用新值。