ZHCSY63C April 2025 – September 2025 TPSM33606-Q1 , TPSM33610-Q1 , TPSM33620-Q1
PRODUCTION DATA
TPSM336xx-Q1 通過針對高側 (HS) 和低側 (LS) MOSFET 的逐周期電流限制電路在過流情況下受到保護。集成電感器電流在每個開關周期內與高側和低側電流限制閾值進行比較。在過流情況下，輸出電壓隨著開關頻率的降低而降低。
高側 MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將 HS 開關電流與固定電流設定點的最小值，或與內部誤差放大器環路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于內部誤差放大器環路的輸出具有最大值并且斜率補償隨占空比增加，因此當占空比高于 35% 時，HS 電流限值會隨著占空比的增加而減小。
當 LS 開關接通時，也會檢測和監控流經 LS 開關的電流。與高側器件一樣，低側器件具有由內部誤差放大器環路命令的關斷功能。對于低側器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關周期，也會在電流超過此值時阻止關斷。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。該限值稱為低側電流限值。如果超出低側電流限值，低側 MOSFET 將保持導通狀態，高側開關不會導通。一旦低側電流降至此限值以下，低側開關就會關斷，并且只要自高側器件上次導通后至少經過一個時鐘周期，高側開關就會再次導通。
如果限流期間 FB 輸入上的電壓因短路而降至大約 0.4V (VHICCUP) 以下，該器件將進入斷續模式。在該模式下，器件在 tW（即大約 50ms）內停止開關，然后通過軟啟動進行正常重啟。如果短路情況仍然存在，器件將在電流限制下運行大約 5ms（典型值），然后再次關斷。只要短路情況仍然存在，該循環就會重復。