ZHCSJN7K October 2002 – June 2025 TPS795
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機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRB|8
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6.3.4 穩壓器保護
TPS795（舊芯片）PMOS 導通晶體管具有內置背二極管，能夠在輸入電壓降至輸出電壓以下時（例如斷電期間）導通反向電流。電流是從輸出傳導到輸入，不受內部限制。如果要在較高的反向電壓下工作，則可能需要外部限制。
在正常運行期間，TPS795（舊芯片）將輸出電流限制在約 2.8A。當啟用限流功能時，輸出電壓會線性縮減，直到過流情況結束。雖然電流限制旨在防止器件發生嚴重故障，但應注意不得超過封裝的功率耗散額定值
對于新芯片該器件具有內部電流限制電路，可在瞬態高負載電流故障或短路事件期間保護穩壓器。電流限制采用混合磚墻式折返方案。電流限制在折返電壓 (VFOLDBACK) 下從磚墻式方案轉換為折返方案。在輸出電壓高于 VFOLDBACK 的高負載電流故障中，磚墻式方案將輸出電流限制為電流限值 (ICL)。當電壓降至 VFOLDBACK 以下時，將激活折返電流限制，在輸出電壓接近 GND 時按比例縮小電流。當輸出短路時，該器件會提供一個被稱為短路電流限制 (ISC) 的典型電流。電氣特性 表中列出了 ICL 和 ISC。
?對于此器件，VFOLDBACK = 0.4 × VOUT(NOM)。
當器件處于限流狀態時，不會調節輸出電壓。當發生電流限制事件時，由于功率耗散增加，器件開始發熱。當器件處于磚墻式電流限制時，導通晶體管會耗散功率 [(VIN – VOUT) × ICL]。當器件輸出短路且輸出低于 VFOLDBACK 時，導通晶體管將耗散功率 [(VIN – VOUT) × ISC]。如果觸發熱關斷，器件將關閉。器件冷卻后，內部熱關斷電路將器件重新接通。如果輸出電流故障條件持續存在，器件會在電流限制狀態和熱關斷狀態之間循環。更多有關電流限制的信息，請參閱了解限制 應用手冊。
圖 6-5 顯示了折返電流限制圖。
圖 6-5 折返電流限制