ZHCSSN2J April 2003 – June 2025 TPS793-Q1
PRODUCTION DATA
為了實現(xiàn)穩(wěn)定性，需要在 IN 和 GND 之間連接一個 0.1μF 或更大電容值的陶瓷輸入旁路電容器，并將其靠近 TPS793-Q1 放置。該電容器增強(qiáng)了瞬態(tài)響應(yīng)、噪聲抑制和紋波抑制。如果出現(xiàn)較大、快速上升時間的負(fù)載瞬態(tài)以及器件距離電源幾英寸遠(yuǎn)，則需要一個更大電容值的電解輸入電容器。
TPS793-Q1 需要在 OUT 和 GND 之間連接一個輸出電容器，以穩(wěn)定內(nèi)部控制環(huán)路。對于舊芯片，建議的最小電容為 2.2μF。對于新芯片，建議的最小電容為 0.47μF。只要電容不隨溫度的變化而顯著變化，任何 2.2μF 或更大電容值的陶瓷電容器都可用。
內(nèi)部電壓基準(zhǔn)是 LDO 穩(wěn)壓器中的主要噪聲源。TPS793-Q1（舊芯片）具有 BYPASS 引腳，通過 250kΩ 內(nèi)部電阻器連接到電壓基準(zhǔn)。250kΩ 內(nèi)部電阻器與連接到 BYPASS 引腳的外部旁路電容器配合使用，形成一個低通濾波器。該濾波器可降低電壓基準(zhǔn)噪聲，從而降低穩(wěn)壓器輸出端的噪聲。為了使穩(wěn)壓器正常運行，請確保流出 BYPASS 引腳的電流達(dá)到最小值。任何漏電流都會在內(nèi)部電阻器上產(chǎn)生 IR 壓降，從而導(dǎo)致輸出誤差。因此，應(yīng)確保旁路電容器具有最小漏電流。