ZHCSYR2D April 2006 – August 2025 TPS73601-EP , TPS73615-EP , TPS73618-EP , TPS73625-EP , TPS73630-EP , TPS73632-EP , TPS73633-EP
PRODUCTION DATA
TPS736xx-EP 使用一個 NMOS 導通晶體管來實現極低壓降。當 (VIN – VOUT) 低于壓降電壓 (VDO) 時，NMOS 導通器件處于其運行的線性區域并且輸入到輸出電阻是 NMOS 導通元件的 RDS-ON。
對于負載電流的較大階躍變化，TPS736xx-EP 需要從 VIN 到 VOUT 的更大壓降，以避免降低瞬態響應性能。這個瞬變壓降區域的邊界大約為 dc 輸出的兩倍。在這個邊界之上的 VIN – VOUT 的值可確保正常瞬態響應。
在瞬態壓降區域內運行會增加恢復時間。從一個負載瞬態中恢復所需的時間是負載電流速率變化幅度、負載電流的變化速率、和可用動態空間（VIN 至 VOUT 壓降）的函數。在最差情況下 [(VIN – VOUT) 的滿標度瞬時負載變化接近 DC 壓降水平]，TPS736xx-EP 可在幾百毫秒內返回特定的調節精度。