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TPS73630-EP

正在供貨

具有反向電流保護(hù)功能的無電容 NMOS 400mA 低壓降穩(wěn)壓器（增強(qiáng)型產(chǎn)品）

產(chǎn)品詳情

Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.4 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 3 Vout (min) (V) 3 Fixed output options (V) 3 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.4 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 3 Vout (min) (V) 3 Fixed output options (V) 3 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm2 2.9 x 2.8
  • 受控基線：
    • 一個(gè)組件
    • 一個(gè)測試基地
    • 一個(gè)制造基地
  • 擴(kuò)展的溫度性能：-55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)型制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知
  • 資質(zhì)譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：75mV（典型值）
  • 可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（無論是否使用可選輸出電容器）
  • 全新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可提供低反向漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 3.3V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可確保在擴(kuò)展工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、熱壓器或無偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間壽命和塑封材料壽命。此類認(rèn)證測試不應(yīng)作為在超出規(guī)定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。
  • 受控基線：
    • 一個(gè)組件
    • 一個(gè)測試基地
    • 一個(gè)制造基地
  • 擴(kuò)展的溫度性能：-55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)型制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知
  • 資質(zhì)譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：75mV（典型值）
  • 可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（無論是否使用可選輸出電容器）
  • 全新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可提供低反向漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 3.3V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可確保在擴(kuò)展工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、熱壓器或無偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間壽命和塑封材料壽命。此類認(rèn)證測試不應(yīng)作為在超出規(guī)定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。

TPS736xx-EP 系列低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓輸出器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低 ESR 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，可實(shí)現(xiàn)無電容器運(yùn)行。此系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流上幾乎保持恒定。

TPS736xx-EP 使用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝來在傳送低壓降電壓和低接地引腳電流的同時(shí)保證高精度。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低的輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。

TPS736xx-EP 系列低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓輸出器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低 ESR 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，可實(shí)現(xiàn)無電容器運(yùn)行。此系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流上幾乎保持恒定。

TPS736xx-EP 使用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝來在傳送低壓降電壓和低接地引腳電流的同時(shí)保證高精度。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低的輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
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* 數(shù)據(jù)表 TPS736xx-EP 無電容 NMOS 400mA 低壓降穩(wěn)壓器 具有反向電流保護(hù)功能 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 10月 7日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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