ZHCSYR2D April 2006 – August 2025 TPS73601-EP , TPS73615-EP , TPS73618-EP , TPS73625-EP , TPS73630-EP , TPS73632-EP , TPS73633-EP
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|5
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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7.1.2 輸出噪聲
一個精準(zhǔn)帶隙基準(zhǔn)用于生成內(nèi)部基準(zhǔn)電壓 VREF。這個基準(zhǔn)是 TPS736xx-EP 內(nèi)的主要噪聲源，并且在基準(zhǔn)輸出 (NR) 處產(chǎn)生約 32μVRMS（10Hz 至
100kHz）。穩(wěn)壓器控制環(huán)路對基準(zhǔn)噪聲的增益補償與對基準(zhǔn)電壓的增益補償一致，這樣穩(wěn)壓器的噪聲電壓可大約確定為：
由于 VREF 的值為 1.2V，這一相互關(guān)系減少至：
（對于沒有 CNR 的情況）。
當(dāng)一個外部降噪電容器 CNR 從 NR 接至接地時，一個與降噪引腳 (NR) 串聯(lián)的內(nèi)部 27k? 電阻器為電壓基準(zhǔn)形成一個低通濾波器。因為 CNR = 10nF，10Hz 至 100kHz 帶寬內(nèi)的總噪聲減少了大約 3.2 倍，從而得出的大致關(guān)系為：
CNR = 10nF。
這個降噪效應(yīng)顯示在 圖 5-18 的 RMS 噪聲電壓與 CNR 間的關(guān)系圖中。
TPS73601-EP 可調(diào)節(jié)版本沒有提供降噪引腳。不過，將一個反饋電容器 CFB 從輸出連接至 FB 引腳將降低輸出噪聲并提升負(fù)載瞬態(tài)性能。
TPS736xx-EP 使用一個內(nèi)部電荷泵來形成一個內(nèi)部電源電壓，此電壓足以將 NMOS 導(dǎo)通元件的柵極驅(qū)動至高于 VOUT 的水平。此電荷泵在大約 4MHz 時生成大約 250μV 的開關(guān)噪聲；然而，對于大多數(shù) IOUT 和 COUT 的值，電荷泵噪聲對于穩(wěn)壓器輸出的影響可以忽略不計。