主頁 電源管理 線性和低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器

TPS73633-EP

正在供貨

具有反向電流保護(hù)功能的無電容 NMOS 400mA 低壓降穩(wěn)壓器（增強(qiáng)型產(chǎn)品）

產(chǎn)品詳情

Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.4 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 3.3 Fixed output options (V) 3.3 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.4 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 3.3 Fixed output options (V) 3.3 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm2 2.9 x 2.8
  • 受控基線：
    • 一個(gè)組件
    • 一個(gè)測試基地
    • 一個(gè)制造基地
  • 擴(kuò)展的溫度性能：-55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)型制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知
  • 資質(zhì)譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：75mV（典型值）
  • 可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（無論是否使用可選輸出電容器）
  • 全新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可提供低反向漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 3.3V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可確保在擴(kuò)展工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、熱壓器或無偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間壽命和塑封材料壽命。此類認(rèn)證測試不應(yīng)作為在超出規(guī)定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。
  • 受控基線：
    • 一個(gè)組件
    • 一個(gè)測試基地
    • 一個(gè)制造基地
  • 擴(kuò)展的溫度性能：-55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)型制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知
  • 資質(zhì)譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：75mV（典型值）
  • 可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（無論是否使用可選輸出電容器）
  • 全新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可提供低反向漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 3.3V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可確保在擴(kuò)展工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、熱壓器或無偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間壽命和塑封材料壽命。此類認(rèn)證測試不應(yīng)作為在超出規(guī)定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。

TPS736xx-EP 系列低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓輸出器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低 ESR 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，可實(shí)現(xiàn)無電容器運(yùn)行。此系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流上幾乎保持恒定。

TPS736xx-EP 使用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝來在傳送低壓降電壓和低接地引腳電流的同時(shí)保證高精度。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低的輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。

TPS736xx-EP 系列低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓輸出器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低 ESR 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，可實(shí)現(xiàn)無電容器運(yùn)行。此系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流上幾乎保持恒定。

TPS736xx-EP 使用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝來在傳送低壓降電壓和低接地引腳電流的同時(shí)保證高精度。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低的輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
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* 數(shù)據(jù)表 TPS736xx-EP 無電容 NMOS 400mA 低壓降穩(wěn)壓器 具有反向電流保護(hù)功能 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 10月 7日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TPS73633MDBVREPG4 Reliability Report 2013年 9月 6日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)

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