數(shù)據(jù)表
TPS73601-EP
- 受控基線:
- 一個(gè)組件
- 一個(gè)測(cè)試基地
- 一個(gè)制造基地
- 擴(kuò)展的溫度性能:-55°C 至 +125°C
- 增強(qiáng)型制造源減少 (DMS) 支持
- 改善了產(chǎn)品變更通知
- 資質(zhì)譜系(1)
- 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
- 輸入電壓范圍:1.7V 至 5.5V
- 超低壓降電壓:75mV(典型值)
- 可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(無(wú)論是否使用可選輸出電容器)
- 全新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可提供低反向漏電流
- 低噪聲:30μVRMS 典型值(10Hz 至 100kHz)
- 初始精度:0.5%
- 整個(gè)線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 1%
- 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
- 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
- 提供了多個(gè)輸出電壓版本:
- 固定輸出:1.2V 至 3.3V
- 可調(diào)輸出:1.2V 至 5.5V
- 可提供定制輸出
(1)元件資質(zhì)符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可確保在擴(kuò)展工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、熱壓器或無(wú)偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間壽命和塑封材料壽命。此類認(rèn)證測(cè)試不應(yīng)作為在超出規(guī)定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。
TPS736xx-EP 系列低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):在一個(gè)電壓輸出器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低 ESR 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定,可實(shí)現(xiàn)無(wú)電容器運(yùn)行。此系列還提供高反向阻斷(低反向電流)和接地引腳電流,該電流在所有輸出電流上幾乎保持恒定。
TPS736xx-EP 使用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝來(lái)在傳送低壓降電壓和低接地引腳電流的同時(shí)保證高精度。未啟用時(shí),電流消耗低于 1µA,非常適合便攜式應(yīng)用。低的輸出噪聲(0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS)使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
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查看全部 3 | 頂層文檔 | 類型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |
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| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS736xx-EP 無(wú)電容 NMOS 400mA 低壓降穩(wěn)壓器 具有反向電流保護(hù)功能 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025年 10月 7日 |
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS73601MDRBREP Reliability Report | 2011年 8月 26日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS73601MDCQREP Reliability Reports | 2011年 8月 26日 |
訂購(gòu)和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
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- 封裝廠地點(diǎn)