ZHCSC15D December 2013 – August 2025 TPS709-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|5
- DRV|6
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRV|6
訂購(gòu)信息
7.4.1.2 功率耗散
不同封裝類(lèi)型的芯片散熱能力是不同的，在印刷電路板 (PCB) 布局過(guò)程中應(yīng)區(qū)別對(duì)待。器件周?chē)鷽](méi)有其他組件的 PCB 區(qū)域會(huì)將器件的熱量散發(fā)到周?chē)諝庵小?em class="ph i">熱性能信息 中列出了 JEDEC 低 K 電路板和高 K 電路板的性能數(shù)據(jù)。使用較重的覆銅可提高器件的散熱效率。在散熱層上增加的電鍍通風(fēng)孔也能提升散熱效率。
功耗取決于輸入電壓和負(fù)載情況。功率耗散 (PD) 等于輸出電流乘以輸出導(dǎo)通元件（VIN 至 VOUT）上的壓降所得到的乘積，如方程式 1 所示。
圖 7-4 展示了 TPS709-Q1 的最高環(huán)境溫度與功率耗散之間的關(guān)系。該圖假設(shè)器件焊接在 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)高 K 布局上，電路板上沒(méi)有氣流。電路板的實(shí)際熱阻抗差異很大。如果應(yīng)用需要高功率耗散，則透徹了解電路板溫度和熱阻抗有助于確保 TPS709-Q1 不會(huì)在高于 125°C 的結(jié)溫下運(yùn)行。
圖 7-4 最高環(huán)境溫度與功率耗散間的關(guān)系可以使用 熱性能信息 中所示的熱指標(biāo) ΨJT 和 ΨJB 來(lái)估算結(jié)溫。與 RθJA 相比，這些指標(biāo)是芯片和封裝熱傳遞特性的更準(zhǔn)確表示。可以使用方程式 2 來(lái)估算結(jié)溫。
其中：
- PD 是功率耗散，如 方程式 1 所示，
- TT 是器件封裝頂部中間位置的溫度，
- TB 是在 PCB 表面 距器件封裝 1mm 處測(cè)得的 PCB 溫度。
TT 和 TB 都可以使用實(shí)際測(cè)溫儀（紅外溫度計(jì)）在實(shí)際應(yīng)用板上進(jìn)行測(cè)得。
有關(guān)測(cè)量 TT 和 TB 的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱使用新的熱指標(biāo)應(yīng)用手冊(cè)（可從 www.ti.com 下載）。