TPS65214 能夠提供各種故障檢測。默認(rèn)情況下，所有這些故障都會導(dǎo)致定序關(guān)斷。其中一些是可屏蔽的，并且對已屏蔽故障的反應(yīng)是可配置的。

電源電壓監(jiān)控

該器件能夠?qū)﹄娫措妷?(VSYS) 與內(nèi)部電源電壓 (VDD1P8) 提供以下故障檢測。這些故障均不可屏蔽。

• VSYS 上的欠壓，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換到 OFF 狀態(tài)或門控啟動
• VSYS 上的過壓保護(hù)，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換到 OFF 狀態(tài)
• 內(nèi)部 1.8V 電源 (VDD1P8) 上的欠壓或過壓，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換到 OFF 狀態(tài)或門控啟動。

穩(wěn)壓器輸出監(jiān)控

TPS65214 能夠?qū)祲狠敵龆伺c LDO 輸出端進(jìn)行以下故障檢測：

• 欠壓檢測 (UV)
• 過流檢測 (OC)，達(dá)到正電流限值和（對于降壓轉(zhuǎn)換器）負(fù)電流限值時觸發(fā)
• 接地短路檢測 (SCG)
• 溫度警告 (WARM) 和熱關(guān)斷 (TSD / HOT)
• 殘余電壓 (RV) 和殘余電壓 - 關(guān)斷 (RV_SD)
• 超時 (TO)

SCG、OC、HOT、 與 TO 不可屏蔽。如果出現(xiàn)以上任一情況，器件會斷電。每個穩(wěn)壓器的正負(fù)電流限值共用同一掩碼位。

對 UV、RV 和 WARM 故障的反應(yīng)是可配置的。如果未屏蔽，故障會觸發(fā)定序關(guān)斷。可以在 INT_MASK_BUCKS、INT_MASK_LDOS 和 INT_MASK_WARM 寄存器中為每個穩(wěn)壓器單獨(dú)屏蔽 UV、RV 和 WARM。在發(fā)生屏蔽故障的情況下不會進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換。可以通過 MASK_CONFIG 寄存器中的 MASK_EFFECT 位全局配置是否設(shè)置了位以及 nINT 是否拉至低電平。每個穩(wěn)壓器的正負(fù)電流限值共用同一掩碼位。

• 00b = 無狀態(tài)變化，無 nINT 反應(yīng)，未設(shè)置位
• 01b = 無狀態(tài)變化，無 nINT 反應(yīng)，設(shè)置了位
• 10b = 無狀態(tài)變化，nINT 反應(yīng)，設(shè)置了位（與 11b 相同）
• 11b = 無狀態(tài)變化，nINT 反應(yīng)，設(shè)置了位（與 10b 相同）

對于任何與關(guān)斷條件對應(yīng)的故障，故障位將保持有效狀態(tài)，直到通過 I2C 執(zhí)行 W1C（寫 1 清除）操作（假設(shè)故障不再存在）。如果出現(xiàn)關(guān)斷故障，則無需更新 ON 請求。如果只要 EN/VSENSE 仍為高電平并且無需按下按鈕即可重新啟動，故障就不再存在，那么該器件會自動執(zhí)行上電序列。

對于任何非關(guān)斷條件的故障（例如，因?yàn)楣收媳黄帘危撐辉谶M(jìn)入 INITIALIZE 狀態(tài)時被清除。

熱警告和熱關(guān)斷

有兩個熱閾值：熱警告 (WARM) 和熱關(guān)斷 (TSD / HOT)。

熱警告，WARM 閾值

如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，則會設(shè)置 SENSOR_x_WARM 位并且 PMIC 會定序關(guān)閉（除非已屏蔽）。如果溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，無需發(fā)出新的 Push-button-ON_Request，器件會再次上電。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉(zhuǎn)換為 ACTIVE 狀態(tài)。

如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，但設(shè)置了 SENSOR_x_WARM_MASK 位，PMIC 仍會處于 ACTIVE 狀態(tài)。故障報告由 MASK_EFFECT 位配置。處理器決定是定序關(guān)斷還是控制正在運(yùn)行的應(yīng)用程序，從而降低功耗并有望避免熱關(guān)斷情況。

熱關(guān)斷，HOT 閾值

如果溫度超過 T_{HOT_Rising} 閾值，則會設(shè)置 SENSOR_x_HOT 位，并且 PMIC 會立即關(guān)斷所有電源軌。這種關(guān)斷是同時進(jìn)行，而不是按時序進(jìn)行。

• 如果所有傳感器都屏蔽了 WARM 檢測（設(shè)置了所有 SENSOR_x_WARM_MASK 位），那么一旦溫度降至 T_{HOT_Falling} 閾值以下，PMIC 會重新上電，但前提條件是：存在有效的導(dǎo)通請求。
• 如果其中任一傳感器未能屏蔽 WARM 檢測，那么一旦溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，那么無需發(fā)出新的 Push-button-ON_Request，PMIC 會重新上電。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉(zhuǎn)換為 ACTIVE 狀態(tài)。

殘余電壓

無論是在序列期間還是通過 I2C 命令，在啟用每條電源軌以前，都會進(jìn)行殘余電壓檢查。RV 故障的處理取決于故障發(fā)生時的情況。說明殘余電壓檢查的簡化狀態(tài)圖如 圖 6-14 所示。

圖 6-14 殘余電壓檢查

1. 如果升序時存在殘余電壓，器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設(shè)置相應(yīng)的 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設(shè)置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位和 TIMEOUT 位，并且會在時隙結(jié)束時啟動斷電序列。

2. 如果降序至 STBY 或 SLEEP 狀態(tài)時存在殘余電壓，器件會在斷電時隙持續(xù)時間的八倍時間以內(nèi)，對后續(xù)電源軌進(jìn)行門控斷電。如果殘余電壓仍然存在，器件會設(shè)置以下位，并且啟動斷電序列。
   1. 寄存器 INT_SOURCE 中的 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位
   2. 寄存器 INT_TIMEOUT_RV_SD 中的相應(yīng)位 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD
   3. 寄存器 INT_TIMEOUT_RV_SD 中的位超時
3. 如果降序至 INITIALIZE 狀態(tài)時存在殘余電壓，不會設(shè)置任何狀態(tài)位，并且斷電序列會在斷電時隙持續(xù)時間的八倍時間以后繼續(xù)執(zhí)行。

4. 如果通過 I2C 命令對電源軌上電或斷電期間存在殘余電壓，器件會設(shè)置相應(yīng)的 LDOx_RV 或 BUCKx_RV 位。如果未設(shè)置 MASK_INT_FOR_RV 位（RV 未屏蔽），器件會將 nINT 引腳拉至低電平。

如果在升序或降序時檢測到殘余電壓，可通過 GENERAL_CONFIG 寄存器的 BYPASS_RV_FOR_RAIL_ENABLE 位屏蔽關(guān)斷故障反應(yīng)。如果通過 I2C 命令檢測到殘余電壓，可通過 MASK_CONFIG 寄存器的 MASK_INT_FOR_RV 位屏蔽 nINT 引腳的反應(yīng)。

如果在上電時隙持續(xù)時間以后或在斷電時隙持續(xù)時間八倍時間以后未能釋放殘余電壓，則會發(fā)生超時。器件會設(shè)置 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器的 TIMEOUT 位。

重試計數(shù)器

每檢測到一次關(guān)斷故障，重試計數(shù)器（POWER_UP_STATUS_REG 寄存器的 RETRY_COUNT）都會遞增。器件會嘗試兩次重試上電。如果兩次都失敗，則需要在 VSYS 上進(jìn)行一次電源循環(huán)，以便重置重試計數(shù)器。任何成功的上電都會重置重試計數(shù)器。屏蔽故障不會導(dǎo)致關(guān)斷，也不會導(dǎo)致重試計數(shù)器遞增。

可通過 MFP_2_CONFIG 寄存器的 MASK_RETRY_COUNT_ON_FIRST_PU 位，在首次上電時停用重試計數(shù)器。設(shè)置后，在完成首次上電序列以前，器件會無限重試。

也可以通過 INT_MASK_UV 寄存器的 MASK_RETRY_COUNT 位，永久禁用重試計數(shù)器。設(shè)置后，器件會在發(fā)生任何關(guān)斷故障以后無限重試。

故障反應(yīng)概述

下表概述了在 ACTIVE 和 STBY 狀態(tài)下的故障行為（如果未屏蔽）以及故障是否可屏蔽。

*) RV_SD 和 TIMEOUT 故障只能在序列期間發(fā)生