ZHCSMI5A December 2019 – November 2020 TPS546D24A
PRODUCTION DATA
高側(cè)和低側(cè) FET 都使用 SenseFET 架構(gòu)進(jìn)行電流檢測(cè),以實(shí)現(xiàn)精確的溫度補(bǔ)償電流監(jiān)控。這種 SenseFET 架構(gòu)使用 FET 的寄生電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)無(wú)損電流檢測(cè),而無(wú)需外部元件。
當(dāng)多個(gè)(2×、3× 或 4×)器件在多相應(yīng)用中運(yùn)行時(shí),所有器件通過(guò) VSHARE 引腳共享相同的內(nèi)部控制電壓。在每個(gè)相位中檢測(cè)到的電流由內(nèi)部跨導(dǎo)放大器通過(guò) VSHARE 電壓進(jìn)行調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)環(huán)路補(bǔ)償以及不同相位之間的電流平衡。放大器輸出電壓與內(nèi)部 PWM 斜坡進(jìn)行比較,以生成 PWM 脈沖。