ZHCSIA8D March 2018 – October 2019 TPS23880
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 參數(shù)測(cè)量信息
-
9 詳細(xì) 說(shuō)明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3 功能 說(shuō)明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 I2C 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1 完整寄存器組
- 9.6.2
詳細(xì)的寄存器說(shuō)明
- 9.6.2.1 中斷寄存器
- 9.6.2.2 中斷屏蔽寄存器
- 9.6.2.3 電源事件寄存器
- 9.6.2.4 檢測(cè)事件寄存器
- 9.6.2.5 故障事件寄存器
- 9.6.2.6 啟動(dòng)/ILIM 事件寄存器
- 9.6.2.7 電源和故障事件寄存器
- 9.6.2.8 通道 1 發(fā)現(xiàn)寄存器
- 9.6.2.9 通道 2 發(fā)現(xiàn)寄存器
- 9.6.2.10 通道 3 發(fā)現(xiàn)寄存器
- 9.6.2.11 通道 4 發(fā)現(xiàn)寄存器
- 9.6.2.12 電源狀態(tài)寄存器
- 9.6.2.13 引腳狀態(tài)寄存器
- 9.6.2.14 工作模式寄存器
- 9.6.2.15 斷開(kāi)使能寄存器
- 9.6.2.16 檢測(cè)/分級(jí)使能寄存器
- 9.6.2.17 功率優(yōu)先級(jí)/2 線對(duì) PCUT 禁用寄存器名稱(chēng)
- 9.6.2.18 時(shí)序配置寄存器
- 9.6.2.19 通用屏蔽寄存器
- 9.6.2.20 檢測(cè)/分級(jí)重啟寄存器
- 9.6.2.21 電源使能寄存器
- 9.6.2.22 復(fù)位寄存器
- 9.6.2.23 ID 寄存器
- 9.6.2.24 連接檢查和 Auto Class 狀態(tài)寄存器
- 9.6.2.25 2 線對(duì)管制通道 1 配置寄存器
- 9.6.2.26 2 線對(duì)管制通道 2 配置寄存器
- 9.6.2.27 2 線對(duì)管制通道 3 配置寄存器
- 9.6.2.28 2 線對(duì)管制通道 4 配置寄存器
- 9.6.2.29 加電故障寄存器
- 9.6.2.30 端口重映射寄存器
- 9.6.2.31 通道 1 和 2 多位優(yōu)先級(jí)寄存器
- 9.6.2.32 通道 3 和 4 多位優(yōu)先級(jí)寄存器
- 9.6.2.33 4 線對(duì)有線和端口功率分配寄存器
- 9.6.2.34 4 線對(duì)管制通道 1 和 2 配置寄存器
- 9.6.2.35 4 線對(duì)管制通道 3 和 4 配置寄存器
- 9.6.2.36 溫度寄存器
- 9.6.2.37 4 線對(duì)故障配置寄存器
- 9.6.2.38 輸入電壓寄存器
- 9.6.2.39 通道 1 電流寄存器
- 9.6.2.40 通道 2 電流寄存器
- 9.6.2.41 通道 3 電流寄存器
- 9.6.2.42 通道 4 電流寄存器
- 9.6.2.43 通道 1 電壓寄存器
- 9.6.2.44 通道 2 電壓寄存器
- 9.6.2.45 通道 3 電壓寄存器
- 9.6.2.46 通道 4 電壓寄存器
- 9.6.2.47 2x 折返選擇寄存器
- 9.6.2.48 固件版本寄存器
- 9.6.2.49 I2C 看門(mén)狗寄存器
- 9.6.2.50 器件 ID 寄存器
- 9.6.2.51 通道 1 檢測(cè)電阻寄存器
- 9.6.2.52 通道 2 檢測(cè)電阻寄存器
- 9.6.2.53 通道 3 檢測(cè)電阻寄存器
- 9.6.2.54 通道 4 檢測(cè)電阻寄存器
- 9.6.2.55 通道 1 分配的分級(jí)寄存器
- 9.6.2.56 通道 2 分配的分級(jí)寄存器
- 9.6.2.57 通道 3 分配的分級(jí)寄存器
- 9.6.2.58 通道 4 分配的分級(jí)寄存器
- 9.6.2.59 AUTO CLASS 控制寄存器
- 9.6.2.60 通道 1 AUTO CLASS 功率寄存器
- 9.6.2.61 通道 2 AUTO CLASS 功率寄存器
- 9.6.2.62 通道 3 AUTO CLASS 功率寄存器
- 9.6.2.63 通道 4 AUTO CLASS 功率寄存器
- 9.6.2.64 備用折返寄存器
- 9.6.2.65 SRAM 控制寄存器
- 9.6.2.66 SRAM 起始地址 (LSB) 寄存器
- 9.6.2.67 SRAM 起始地址 (MSB) 寄存器
- 10應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 11電源建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTQ|56
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTQ|56
訂購(gòu)信息
12.1.1 開(kāi)爾文電流檢測(cè)電阻器
每個(gè) PSE 通道中的負(fù)載電流是作為值為 255mΩ 的低端電流感應(yīng)電阻器上的電壓進(jìn)行感應(yīng)的。為了獲得更精確的電流檢測(cè)，通過(guò)通道 1 和 2 的引腳 KSENSA、通道 3 和 4 的引腳 KSENSB、通道 5 和 6 的引腳 KSENSC 以及通道 7 和 8 的引腳 KSENSD 線對(duì)電流檢測(cè)電阻的低端進(jìn)行開(kāi)爾文檢測(cè)。
Figure 144. 開(kāi)爾文電流檢測(cè)連接 KSENSA 在 SEN1 和 SEN2 之間共享，KSENSB 在 SEN3 和 SEN4 之間共享，KSENSC 在 SEN5 和 SEN6 之間共享，而 KSENSD 在 SEN7 和 SEN8 之間共享。為了優(yōu)化測(cè)量精度，必須仔細(xì)進(jìn)行 PCB 布局，確保最大限度減少 PCB 走線電阻的影響。請(qǐng)參閱 示例。
Figure 145. 開(kāi)爾文檢測(cè)布局示例