8 應用限制和勘誤表

以下是器件的應用限制和解決方法。

• OVP 閾值配置行為

  上電時的 OVP 閾值寄存器默認值僅從 NVM 獲取存儲寄存器值的低 4 位。這可能會導致系統無法使用 NVM 中燒錄的 OVP 閾值加電。

  受影響的器件：所有型號。

  建議的解決方法：

  在上電時使用所需的值覆蓋 OVP 閾值寄存器

• SMBA 引腳的極性相反

  SMBA 極性反轉。它默認為低電平，在出現警報時變為高電平。這可能會導致系統錯誤地讀取 SMBA 狀態。

  受影響的器件：引腳 13 配置為 SMBA 警報引腳的所有型號

  建議的解決方法：

  讀取時翻轉 SMBA 引腳狀態的極性。

• 影子寄存器中 EEPROM 數據不可用

  EEPROM 回讀數據不存儲在影子寄存器中。系統可能無法讀取通過 PMBUS 存儲的 EEPROM 數據。

  受影響的器件：所有型號。

  建議的解決方法：

  通過 I2C 直接通過 MCU 讀取 EEPROM 數據。

• 嘗試讀取時 EEPROM 超時的器件行為

  預期行為是當器件無法一次性建立通信時，則嘗試與 EEPROM 器件進行 100ms 的通信，聲明器件應該標記 EEPROM 超時警報。器件當前僅等待幾微秒，就會嘗試進行通信并標記 EEPROM 超時錯誤。

  受影響的器件：所有型號。

• EN 為低電平但存在電源時的器件行為

  當存在電源但 EN 引腳為低電平時，VOUT 引腳上會有相當大的漏電流。因為輸出電容器因漏電而充電，系統可能會看到 VOUT 引腳電壓會緩慢上升（如果沒有負載消耗）。

  受影響的器件：所有型號。

  建議的解決方法：

  在 Vout 上添加適當的泄放電阻器，以確保泄露電流不會導致輸出電壓上升到超過所需值。

• 多次下電上電后載入的 NVM 數據不正確

  在上電讀取 NVM 期間有時會檢測到錯誤，從而導致校驗和錯誤并且器件會恢復為出廠默認設置，而不是編程配置。它會標記 NVM 錯誤。

  受影響的器件：所有型號。

  建議的解決方法：

  每次上電時通過 PMBUS 配置 PMBUS 寄存器以覆蓋默認設置。

所有上述限制都計劃在最終器件版本中解決。