ZHCST60E December 2006 – July 2025 TMP411 , TMP411D
PRODUCTION DATA
9.2.1 設計要求
TMP411/TMP411D 旨在與處理器芯片和 ASIC 中內置的分立晶體管或基板晶體管一起使用。只要將基極-發射極結用作遠程溫度傳感器，就可以使用 NPN 或 PNP 晶體管。可以使用晶體管或二極管連接，如圖 7-1 所示。圖 9-3 展示了在 D+ 和 D- 引腳之間連接一個晶體管時的 D+ 引腳波形。由于 功能方框圖 中顯示了 3 個不同的源電流，因此 D+ 波形在溫度轉換期間會呈現 3 個電壓電平。
圖 9-3 D+ 波形遠程溫度傳感器讀數誤差源于多個因素，包括理想因數和 TMP411/TMP411D 的電流激勵與制造商為給定晶體管指定的工作電流之間的差異。一些制造商為溫度檢測基板晶體管指定了高電平和低電平電流。TMP411/TMP411D 的 ILOW 值為 6μA，IHIGH 值為 120μA。TMP411/TMP411D 允許使用不同的 n 因數值，如 表 8-6 所示。
理想因數 (n) 是與理想二極管相比得出的遠程溫度傳感器二極管的測量特性。理想因數減小為 1.008。如果晶體管的理想因數與 TMP411/TMP411D 不匹配，則使用 方程式 4 計算溫度誤差。請注意，必須將公式中的實際溫度 (°C) 轉換為開爾文 (°K) 才能得出正確結果。
or其中：
- n 或 nactual = 遠程溫度傳感器的理想因數
- T(°C) 或 Tactual(°C) = 實際溫度
- TERR = Treported - Tactual = 由于 n 或 nactual ≠ 1.008 而導致的器件讀數誤差
- °C 和 °K 的溫度變化幅度相同
- nexpected = 1.008
對于 n = 1.004 且 T(°C) = 100°C 的情況，請使用 方程式 5：
如果將分立式晶體管用作遠程溫度傳感器，根據以下標準選擇晶體管可獲得出色的精度。
- 在最高檢測溫度下，6μA 時的基極-發射極電壓 > 0.25V。
- 在最低檢測溫度下，120μA 時的基極-發射極電壓 < 0.95V。
- 基極電阻 < 100Ω
- hFE 的變化幅度很小（50 至 150），表示對 VBE 特性的嚴格控制。
根據這些標準，TI 建議使用兩個小信號晶體管，例如 2N3904 (NPN) 或 2N3906 (PNP)。