ZHCSYZ0 September 2025 TMF0064
PRODUCTION DATA
如表 6-1 所示，TMF0064 的數(shù)據(jù)存儲器由 32 個連續(xù)的 FRAM 存儲塊組成。塊 0 至 30 各為 256 字節(jié)，由八個相鄰的內存頁構成。塊 31 為 160 字節(jié)，由五個相鄰的存儲器頁構成（一個數(shù)據(jù)存儲器頁為 32 個相鄰的存儲器字節(jié)）。
除數(shù)據(jù)存儲器外，TMF0064 還包含起始地址為 1FA0h 的狀態(tài)存儲器，如表 6-2 所示。狀態(tài)存儲器中的寄存器頁包含 32 個保護控制字節(jié)，每個字節(jié)用于鎖定存儲器塊和寄存器頁。
這 32 個保護控制字節(jié)和存儲器塊鎖定字節(jié)共同控制對 32 個數(shù)據(jù)存儲器塊的訪問。默認情況下，存儲器塊設置為開放訪問。保護字節(jié)值 55h 會將相應的存儲器塊設置為寫保護模式，而保護字節(jié)值 AAh 會將相應的存儲器塊設置為 EPROM 模式。
如果存儲器塊鎖定字節(jié)編程為 55h 或 AAh，則會為所有受寫保護的數(shù)據(jù)存儲器塊設置復制保護（EPROM 模式下的存儲器塊不受影響）。同樣，如果將寄存器頁鎖定字節(jié)編程為 55h 或 AAh，則會為整個寄存器頁設置復制保護。
在 FRAM 器件中，數(shù)字信息以極化形式存儲在電介質中。極化可能會以與溫度相關的速率丟失；溫度越高，去極化速率越高。此規(guī)則確定了電氣特性表格中的數(shù)據(jù)保留情況。
將存儲器位置設置為寫保護模式可以進行復制暫存區(qū)操作，但會阻止數(shù)據(jù)更改。這支持使用相同的數(shù)據(jù)對存儲器重新編程，從而刷新極化以延長數(shù)據(jù)保留時間。
與寫保護相比，復制保護會阻止復制暫存區(qū)功能。只有在所有受寫保護的塊和相關的保護控制字節(jié)設置為最終值后，才使用復制保護特性。請注意，復制保護不會阻止器件間的數(shù)據(jù)復制。當設置為 55h 或 AAh 時，保護控制寄存器和鎖定字節(jié)會自我寫保護。任何其他設置都允許不受限制的寫入訪問。
地址 1FC3h 和 1FC4h 可用于對可選的制造商 ID 進行編程。主機讀取這些值，例如，將最終用戶產品與 TMF0064 關聯(lián)。在地址 1FC2h 處，TMF0064 存儲了一個用于鎖定制造商 ID 的字節(jié)，默認值為 00h。向該位置寫入 AAh 或 55h 后，制造商 ID 和鎖定字節(jié)會永久受寫保護。
| 地址范圍 | 類型(1) | 說明 | 保護代碼（注釋） |
|---|---|---|---|
| 1FA0h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 0） | 55h：寫保護塊 0 |
| AAh：EPROM 模式塊 0 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA0h | |||
| 1FA1h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 1） | 55h：寫保護塊 1 |
| AAh：EPROM 模式塊 1 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA1h | |||
| 1FA2h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 2） | 55h：寫保護塊 2 |
| AAh：EPROM 模式塊 2 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA2h | |||
| 1FA3h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 3） | 55h：寫保護塊 3 |
| AAh：EPROM 模式塊 3 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA3h | |||
| 1FA4h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 4） | 55h：寫保護塊 4 |
| AAh：EPROM 模式塊 4 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA4h | |||
| 1FA5h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 5） | 55h：寫保護塊 5 |
| AAh：EPROM 模式塊 5 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA5h | |||
| 1FA6h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 6） | 55h：寫保護塊 6 |
| AAh：EPROM 模式塊 6 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA6h | |||
| 1FA7h | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 7） | 55h：寫保護塊 7 |
| AAh：EPROM 模式塊 7 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FA7h | |||
| ... | ... | ... | ... |
| 1FBDh | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 29） | 55h：寫保護塊 29 |
| AAh：EPROM 模式塊 29 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FBDh | |||
| 1FBEh | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 30） | 55h：寫保護塊 30 |
| AAh：EPROM 模式塊 30 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FBEh | |||
| 1FBFh | R/(W) | 保護控制字節(jié)（塊 31） | 55h：寫保護塊 31 |
| AAh：EPROM 模式塊 31 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FBFh | |||
| 1FC0h | R/(W) | 存儲器塊鎖定 | 55h 或 AAh：復制保護 |
| 受寫保護的數(shù)據(jù)存儲器頁面 | |||
| 55h 或 AAh：寫保護 1FC0h | |||
| 1FC1h | R/(W) | 寄存器頁面鎖定 | 55h 或 AAh：復制保護 1FA0h-1FC1h |
| 1FC2h | R | 出廠字節(jié) | 55h：無有效制造商 ID |
| AAh：1FC3h-1FC4h 是有效制造商 ID | |||
| 1FC3h | R | 制造商 ID | |
| 1FC4h | R | 制造商 ID | |
| 1FC5h | R | RESERVED |