ZHCSYZ0 September 2025 TMF0064
PRODUCTION DATA
表 6-1 是 TMF0064 器件 64768 位 FRAM 部分的存儲器映射，配置為 253 頁、每頁 32 字節(jié)。八個相鄰頁構(gòu)成一個 256 字節(jié)塊。對 FRAM 存儲器進行編程時，使用 32 字節(jié)的易失性暫存緩沖區(qū)。寫入 FRAM 存儲器的過程包括兩個步驟：首先，將數(shù)據(jù)寫入暫存緩沖區(qū)；然后，通過讀取確認正確接收數(shù)據(jù)的暫存緩沖區(qū)來驗證數(shù)據(jù)。如果緩沖區(qū)內(nèi)容正確，則發(fā)出“復制暫存區(qū)”命令，將暫存緩沖區(qū)復制到 FRAM 存儲器。在對存儲器進行編程時，該過程會驗證數(shù)據(jù)完整性。請參閱節(jié) 6.5.4了解對 TMF0064 的 7680 位 FRAM 部分進行編程和讀取的詳細信息。
| 地址范圍 | 類型(1) | 說明 | 保護代碼（注釋） |
|---|---|---|---|
| 0000h 至 00FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 0 至 7（塊 0） | （保護由地址 1FA0h 控制） |
| 0100h 至 01FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 8 至 15（塊 1） | （保護由地址 1FA1h 控制） |
| 0200h 至 02FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 16 至 23（塊 2） | （保護由地址 1FA2h 控制） |
| 0300h 至 03FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 24 至 31（塊 3） | （保護由地址 1FA3h 控制） |
| 0400h 至 04FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 32 至 39（塊 4） | （保護由地址 1FA4h 控制） |
| 0500h 至 05FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 40 至 47（塊 5） | （保護由地址 1FA5h 控制） |
| 0600h 至 06FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 48 至 55（塊 6） | （保護由地址 1FA6h 控制） |
| 0700h 至 07FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 56 至 63（塊 7） | （保護由地址 1FA7h 控制） |
| ... | ... | ... | ... |
| 1D00h 至 1DFFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 232 至 239（塊 29） | （保護由地址 1FBDh 控制） |
| 1E00h 至 1EFFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 240 至 247（塊 30） | （保護由地址 1FBEh 控制） |
| 1F00h 至 1F9Fh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 248 至 252（塊 31） | （保護由地址 1FBFh 控制） |