ZHCSYZ0 September 2025 TMF0064
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| I/O 引腳:一般數(shù)據(jù) | ||||||
| tSTARTUP | 啟動時間 | 在器件使用存在脈沖響應(yīng)之前 SDQ 必須為高電平的最短時間 | 10 | ms | ||
| tREC | 恢復(fù)時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(1)(2) | 5 | μs | ||
| 超速(1)(2) | 5 | μs | ||||
| tREH | 上升沿延遲時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(1)(2) | 0.5 | 5 | μs | |
| tSLOT | 時隙持續(xù)時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(3) | 65 | μs | ||
| 超速(3) | 11 | μs | ||||
| I/O 引腳:單線復(fù)位、存在檢測周期 | ||||||
| tRSTL | 復(fù)位低電平時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度 | 480 | 550 | μs | |
| 超速 | 48 | 80 | μs | |||
| tPDH | 存在檢測高電平脈沖 | 標(biāo)準(zhǔn)速度 | 15 | 60 | μs | |
| 超速 | 2 | 6 | μs | |||
| tPDL | 存在檢測低電平時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度 | 60 | 240 | μs | |
| 超速 | 8 | 24 | μs | |||
| tPDS | 存在檢測采樣時間(4)、(5) | 標(biāo)準(zhǔn)速度 | 60 | 70 | 75 | μs |
| 超速 | 6 | 8.7 | 10 | μs | ||
| IO 引腳:單線寫入 | ||||||
| tW0L | 寫入“0”低電平時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(6) | 60 | 120 | μs | |
| 超速(6) |
5 |
15.5 | μs | |||
| tW1L | 寫入“1”低電平時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(6) | 1 | 15 | μs | |
| 超速(6) | 1 | 2 | μs | |||
| IO 引腳:單線讀取 | ||||||
| tRL | 讀取低電平時間 | 標(biāo)準(zhǔn)速度(2)(7) | 5 | 15 - tRC | μs | |
| 超速(2)(7) | 1 | 2 - tRC | μs | |||
| tRDS | 讀取采樣時間(8) | 標(biāo)準(zhǔn)速度(2)(7) | tRL + tRC | 15 | μs | |
| 超速(2)(7) | tRL + tRC | 3 | μs | |||
| FRAM | ||||||
| NCY | 寫入/擦除周期(耐寫次數(shù))(2) | 1 百萬 | 周期 | |||
| tPROG | 編程時間(2) | 對于所有 63.25Kb 存儲器 | 1 | ms | ||
| tDR | 數(shù)據(jù)保留(9) | 70°C 時 | 10 | 年 | ||