ZHCSUM8J September 2008 – August 2025 TL720M05-Q1
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請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VOUT | 經(jīng)穩(wěn)壓的輸出（舊芯片） | VIN = 6V 至 28V，IOUT = 5mA 至 400mA | 4.9 | 5.0 | 5.1 | V | |
| VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA 至 400mA | 4.9 | 5.0 | 5.1 | ||||
| 經(jīng)穩(wěn)壓的輸出（新芯片） | VIN – VOUT = 1V 至 40V，IOUT= 100μA 至 450mA，TJ = 25oC(1) | -0.85 | 0.85 | % | |||
| VIN – VOUT = 1V 至 40V，IOUT= 100μA 至 500mA，TJ = 25oC(1) | -0.85 | 0.85 | |||||
| VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100μA 至 450mA(1) | -1.15 | 1.15 | |||||
| VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100μA 至 500mA(1) | -1.15 | 1.15 | |||||
| ΔVOUT(ΔIOUT) | 負(fù)載調(diào)整（舊芯片） | IOUT = 5mA 至 400mA | 15 | 30 | mV | ||
| 負(fù)載調(diào)整（新芯片） | VIN = VOUT + 1V，IOUT = 100μA 至 450mA | 0.425 | % | ||||
| ΔVOUT(ΔVIN) | 線(xiàn)路調(diào)整（舊芯片） | VIN = 8V 至 32V，IOUT = 5mA | -15 | 5 | 15 | mV | |
| 線(xiàn)路調(diào)整（新芯片） | VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 100μA | 0.2 | % | ||||
| ΔVOUT | 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)設(shè)置時(shí)間（新芯片）(2) | tR = tF = 1μs；COUT = 10μF | 100 | μs | |||
| ΔVOUT | 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)過(guò)沖/下沖（針對(duì)新芯片）(2) | tR = tF = 1μs；COUT = 10μF | IOUT = 150mA 至 350mA | -2% | %VOUT | ||
| IOUT = 350mA 至 150mA | 10% | ||||||
| IOUT = 0mA 至 500mA | -10% | ||||||
| IQ | 靜態(tài)電流（舊芯片） IQ = IIN – IOUT |
IOUT = 1mA | TJ = 25oC | 100 | 220 | μA | |
| TJ ≤ 85oC | 100 | 220 | |||||
| IOUT = 250mA | 5 | 10 | mA | ||||
| IOUT = 400mA | 12 | 22 | |||||
| 靜態(tài)電流（新芯片）： | VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 0mA，TJ = 25oC(3) | 17 | 21 | μA | |||
| VIN = VOUT + 1V 至 40V，IOUT = 0mA(3) | 26 | ||||||
| IOUT = 500μA | 35 | ||||||
| VDO | 壓降（舊芯片） | IOUT = 300mA | 250 | 500 | mV | ||
| 壓降（新芯片） | IOUT ≤ 1mA，VIN = VOUT(NOM) × 0.95 | 46 | |||||
| IOUT = 315mA，VIN = VOUT(NOM) | 275 | 400 | |||||
| IOUT = 450mA，VIN = VOUT(NOM) | 360 | 525 | |||||
| IOUT = 500mA，VIN = VOUT(NOM) | 390 | 575 | |||||
| VUVLO(RISING) | 上升輸入電源 UVLO（新芯片） | VIN 上升 | 2.6 | 2.7 | 2.82 | V | |
| VUVLO(FALLING) | 下降輸入電源 UVLO（新芯片） | VIN 下降 | 2.38 | 2.5 | 2.6 | V | |
| VUVLO(HYST) | V UVLO(IN) 遲滯（新芯片） | 230 | mV | ||||
| ICL | 輸出電流限制（舊芯片） | VIN = VOUT + 1V，VOUT 短接至 90% × VOUT(NOM) | 450 | 700 | 950 | mA | |
| 輸出電流限制（新芯片） | VIN = VOUT + 1V，VOUT 短接至 90% × VOUT(NOM) | 540 | 780 | ||||
| PSRR | 電源抑制比（舊芯片） | VIN - VOUT = 1V，頻率 = 100Hz，Vr = 0.5Vpp，IOUT = 450mA | 60 | dB | |||
| 電源抑制比（新芯片） | VIN - VOUT = 1V，頻率 = 1kHz，IOUT = 450mA | 70 | |||||
| TJ | 結(jié)溫 | -40 | 150 | °C | |||
| TSD(SHUTDOWN) | 結(jié)關(guān)斷溫度（新芯片） | 175 | |||||
| TSD(HYST) | 熱關(guān)斷遲滯（新芯片） | 20 | |||||
| ΔVOUT/ΔT | 溫度輸出電壓漂移（舊芯片） | 0.5 | mV/K | ||||