ZHCSUM8J September 2008 – August 2025 TL720M05-Q1
PRODMIX
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 8-4 基于 JESD51-7 4 層高 K 電路板。使用方程式 4 估算允許的功率損耗。添加頂層覆銅并增加散熱過孔數(shù)量,以改善 JEDEC 高 K 布局中的散熱性能。請(qǐng)參閱電路板布局布線對(duì) LDO 熱性能影響的經(jīng)驗(yàn)分析 應(yīng)用手冊(cè)。如果使用良好的熱布局,熱耗散可改善高達(dá) 50%。
圖 8-4 TL720M05-Q1 允許的功率耗散