6.1 絕對(duì)最大額定值

在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)測(cè)得（除非另有說(shuō)明）⁽¹⁾⁽²⁾

參數(shù)			最小值	最大值	單位
VDD_*⁽³⁾	內(nèi)核電源		-0.3	1.05	V
VDDAR_*⁽³⁾	RAM 電源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_*⁽³⁾	用于 0.8V 域的模擬電源		-0.3	1.05	V
VDDA_1P8_*⁽³⁾	用于 1.8V PHY 域的模擬電源		-0.3	2.2	V
VDDA_3P3_USB	用于 3.3V USB 域的模擬電源		-0.3	3.8	V
VDDA_*⁽³⁾	用于 1.8V PLL 和其他域的模擬電源		-0.3	2.2	V
VDDS_DDR_*⁽³⁾	DDR 接口電源		-0.3	1.2	V
VDDS_MMC0	MMC0 IO 電源		-0.3	2.2	V
VDDSHV*⁽³⁾	雙路電壓 LVCMOS IO 電源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV*⁽³⁾	雙路電壓 LVCMOS IO 電源	3.3V	-0.3	3.8	V
VPP_CORE VPP MCU	電子保險(xiǎn)絲域的電源電壓范圍		-0.3	1.89	V
USB0_VBUS⁽⁹⁾	USB VBUS 比較器輸入的電壓范圍		-0.3	3.6	V
所有失效防護(hù) IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓		I2C0_SCL、I2C0_SDA、WKUP_I2C0_SCL、WKUP_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、EXTINTn	-0.3	3.8	V
所有失效防護(hù) IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓		MCU_PORz、PORz	-0.3	3.8	V
所有其他 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓⁽⁴⁾		VMON1_ER_VSYS⁽⁸⁾、VMON3_IR_VEXT1P8、VMON4_IR_VEXT1P8	-0.3	2.2	V
		VMON2_IR_VCPU	-0.3	1.05	V
		VMON5_IR_VEXT3P3	-0.3	3.8	V
		所有其他 IO 引腳	-0.3	IO 電源電壓 + 0.3	V
IO 引腳的瞬態(tài)過(guò)沖和下沖規(guī)格		20% 的 IO 電源電壓在信號(hào)周期的 20% 以?xún)?nèi) 圖 6-1（請(qǐng)參閱 IO 瞬態(tài)電壓范圍）		0.2 × VDD⁽⁷⁾	V
閂鎖性能，II 級(jí) (125°C)⁽⁵⁾		電流測(cè)試	-100	100	mA
閂鎖性能，II 級(jí) (125°C)⁽⁵⁾		過(guò)壓 (OV) 測(cè)試	不適用	1.5 × VDD⁽⁷⁾	V
T_STG⁽⁶⁾		貯存溫度	-55	+150	°C

(1) 超出“絕對(duì)最大額定值”運(yùn)行可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。絕對(duì)最大額定值并不表示器件在這些條件下以及在建議運(yùn)行條件以外的任何其他條件下能夠正常運(yùn)行。如果超出“建議運(yùn)行條件”但在“絕對(duì)最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會(huì)完全正常運(yùn)行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。

(2) 除非另有說(shuō)明，否則所有電壓值均以其關(guān)聯(lián)的 VSS 或 VSSA_x 為基準(zhǔn)。

(3) VDD_* 包括：VDD_CORE、VDD_CPU、VDD_MCU、VDD_MCU_WAKE1、VDD_WAKE0
VDDAR_* 包括：VDDAR_CORE、VDDAR_CPU、VDDAR_MCU
VDDA_0P8_* 包括：VDDA_0P8_CSIRX0_1、VDDA_0P8_CSIRX2、VDDA_0P8_DLL_MMC0、VDDA_0P8_DSITX、VDDA_0P8_DSITX_C、VDDA_0P8_PLL_DDR0、VDDA_0P8_PLL_DDR1、VDDA_0P8_PLL_DDR2、VDDA_0P8_PLL_DDR3、VDDA_0P8_SERDES_C0_1、VDDA_0P8_SERDES_C2、VDDA_0P8_SERDES_C4、VDDA_0P8_SERDES0_1、VDDA_0P8_SERDES2、VDDA_0P8_SERDES4、VDDA_0P8_UFS、VDDA_0P8_USB
VDDA_1P8_* 包括：VDDA_1P8_CSIRX0_1、VDDA_1P8_CSIRX2、VDDA_1P8_DSITX、VDDA_1P8_SERDES0_1、VDDA_1P8_SERDES2、VDDA_1P8_SERDES2_4、VDDA_1P8_SERDES4、VDDA_1P8_UFS、VDDA_1P8_USB
VDDA_* 包括：VDDA_ADC0、VDDA_ADC1、VDDA_MCU_PLLGRP0、VDDA_MCU_TEMP、VDDA_OSC1、VDDA_PLLGRP0、VDDA_PLLGRP1、VDDA_PLLGRP10、VDDA_PLLGRP12、VDDA_PLLGRP13、VDDA_PLLGRP2、VDDA_PLLGRP5、VDDA_PLLGRP6、VDDA_PLLGRP7、VDDA_PLLGRP8、VDDA_PLLGRP9、VDDA_POR_WKUP、VDDA_TEMP0、VDDA_TEMP1、VDDA_TEMP2、VDDA_TEMP3、VDDA_TEMP4、VDDA_WKUP
VDDS_DDR_* 包括：VDDS_DDR、VDDS_DDR_C0、VDDS_DDR_C1、VDDS_DDR_C2、VDDS_DDR_C3
VDDSHV* 包括：VDDSHV0、VDDSHV0_MCU、VDDSHV1_MCU、VDDSHV2、VDDSHV2_MCU、VDDSHV5

(4) 此參數(shù)適用于所有不具有失效防護(hù)功能的 IO 引腳，該要求適用于所有 IO 電源電壓值。例如，如果施加到特定 IO 電源的電壓為 0V，則由該電源供電的任何 IO 的有效輸入電壓范圍將為 –0.3V 至 +0.3V。每當(dāng)外設(shè)不是由用于為相應(yīng) IO 電源供電的相同電源供電時(shí)，都應(yīng)特別注意。所連接的外設(shè)絕不能提供超出有效輸入電壓范圍的電壓（包括電源斜升和斜降序列），這一點(diǎn)很重要。

(5) 對(duì)于電流脈沖注入：
引腳應(yīng)力符合 JEDEC JESD78E（II 級(jí)），并施加額定 I/O 引腳注入電流和鉗位電壓（最大推薦 I/O 電壓的 1.5 倍和最大推薦 I/O 電壓的負(fù) 0.5 倍）。
對(duì)于過(guò)壓性能：
電源應(yīng)力符合 JEDEC JESD78E（II 級(jí)）并施加額定電壓注入。

(6) 對(duì)于卷帶包裝，貯存溫度范圍為 [–10°C；+50°C]，最大相對(duì)濕度為 70%。TI 建議在使用前恢復(fù)到環(huán)境室溫。

(7) VDD 是 IO 相應(yīng)電源引腳上的電壓。

(8) VMON_ER_VSYS 引腳提供了一種監(jiān)測(cè)系統(tǒng)電源的方法。如需更多信息，請(qǐng)參閱使用 VMON/POK 的系統(tǒng)電源監(jiān)測(cè)設(shè)計(jì)指南。

(9) 需要使用外部電阻分壓器來(lái)限制施加到該器件引腳的電壓。如需更多信息，請(qǐng)參閱 USB VBUS 設(shè)計(jì)指南。

失效防護(hù) IO 終端的設(shè)計(jì)使其不依賴(lài)于相應(yīng)的 IO 電源電壓。這樣便可在相應(yīng) IO 電源關(guān)閉時(shí)，將外部電壓源連接到這些 IO 終端。I2C0_SCL、I2C0_SDA、I2C1_SCL、I2C1_SDA、DDR_FS_RESETn 和 NMIn 是唯一的失效防護(hù) IO 端子。所有其他 IO 終端都不具有失效防護(hù)功能，對(duì)其施加的電壓應(yīng)限制為絕對(duì)最大額定值中的“所有 IO 引腳的穩(wěn)態(tài)最大電壓”參數(shù)定義的值。

A. T_overshoot + T_undershoot < T_period 的 20%

圖 6-1 IO 瞬態(tài)電壓范圍