ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10器件和文檔支持
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|10
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|10
訂購信息
8.3.2 磁芯磁化
圖 8-2 展示了推挽式轉(zhuǎn)換器的理想磁化曲線，其中 B 為磁通密度，H 為磁場強(qiáng)度。當(dāng) Q1 導(dǎo)通時(shí)，磁通量被從 A 推至 A'，當(dāng) Q2 導(dǎo)通時(shí)，磁通量被從 A' 拉回至 A。磁通量差和磁通密度差與初級電壓 VP 和時(shí)間 tON 之積成正比，這適用于初級側(cè)：B ≈ VP × tON。
圖 8-2 通過 RDS(on) 的正溫度系數(shù)進(jìn)行的磁芯磁化和自調(diào)節(jié)該伏秒 (V-t) 乘積很重要，因?yàn)樗鼪Q定了每個(gè)開關(guān)周期中的磁芯磁化強(qiáng)度。如果兩個(gè)相位的 V-t 乘積不相同，則磁通密度擺動(dòng)不平衡會(huì)導(dǎo)致偏離 B-H 曲線的原點(diǎn)。如果沒有恢復(fù)平衡，則偏移在每個(gè)后續(xù)周期中都會(huì)增加，并且變壓器會(huì)緩慢地向飽和區(qū)域移動(dòng)。
幸運(yùn)的是，由于 MOSFET 的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，因此 SN6507 的輸出 FET 對 V-t 不平衡具有自校正作用。在導(dǎo)通時(shí)間稍長的情況下，流過 FET 的持久電流會(huì)逐漸對晶體管進(jìn)行加熱，從而導(dǎo)致 RDS-on 增加。然后，較高的電阻會(huì)導(dǎo)致漏源電壓 VDS 上升。由于初級電壓是恒定輸入電壓 VIN 與 MOSFET 上的電壓降 VP = VIN – VDS 之間的差值，因此 VP 會(huì)逐漸降低，V-t 平衡會(huì)恢復(fù)。