ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
為了在效率方面優(yōu)化 EMI，SN6507 設(shè)計(jì)為允許電阻器 (RSR) 選擇功率 FET 開(kāi)啟的驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度。如下面的圖 8-7 所示，開(kāi)關(guān)邊沿的壓擺率可通過(guò)該電阻器進(jìn)行控制。通過(guò)壓擺率控制滾降諧波可以消除許多應(yīng)用中對(duì)屏蔽和共模扼流圈的需求。
壓擺率控制的 EMI 優(yōu)勢(shì)可能會(huì)導(dǎo)致效率略微降低和峰值電流 (ISW_SR) 略微增大。當(dāng)該功能減慢柵極電容的充電和放電時(shí)，F(xiàn)ET 的延長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)間會(huì)增加每個(gè)開(kāi)關(guān)周期期間的轉(zhuǎn)換損耗。這會(huì)增加功率耗散，從而降低效率并加劇熱問(wèn)題。這將限制壓擺率的降低幅度。另一項(xiàng)成本是每個(gè)周期的峰值電流會(huì)增加。這是因?yàn)榫徛倪呇販p少了導(dǎo)通時(shí)間 (ION_SR)，最終峰值電流 (ISW_SR) 將增加，以在每個(gè)周期向負(fù)載提供相同的平均電流。
可以通過(guò) RSR 對(duì)不同 VIN 下的壓擺率進(jìn)行編程。較高的 RSR 值會(huì)將 SN6507 配置為在 VCC 電平上具有較慢的壓擺率，而較低的 RSR 值會(huì)將 SN6507 配置為具有較快的壓擺率。下面的表 8-2 列出了 12V 和 24V 情況下 VCC 與壓擺率之間的關(guān)系。由于壓擺率與開(kāi)關(guān)頻率無(wú)關(guān)，因此必須注意，在高頻率下，壓擺率應(yīng)該足夠快，以最大限度地向負(fù)載提供輸出功率。如果 SR 引腳懸空，壓擺率將被設(shè)置為默認(rèn)值。如果 SR 引腳短接至 GND，則被視為故障情況，器件將停止開(kāi)關(guān)。
| VCC (V) | RSR (k?) | 典型壓擺率 (V/μs) |
|---|---|---|
5 | 4.8 | 337 |
5 | 懸空（默認(rèn)設(shè)置） | 263 |
5 | 15 | 224 |
5 | 21 | 198 |
| 12 | 4.8 | 424 |
| 12 | 懸空（默認(rèn)設(shè)置） | 298 |
| 12 | 15 | 237 |
| 12 | 21 | 199 |
| 24 | 4.8 | 583 |
| 24 | 懸空（默認(rèn)設(shè)置） | 369 |
| 24 | 15 | 273 |
| 24 | 21 | 218 |