ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
SN6507 通過(guò)兩個(gè) NMOS 開關(guān)的逐周期電流限制來(lái)防止發(fā)生過(guò)流情況。軟啟動(dòng)期間禁用 OCP。軟啟動(dòng)完成后，OCP 啟用，閾值設(shè)置為編程的值。會(huì)檢測(cè)到開關(guān)電流并將其與通過(guò) SS/ILIM 引腳上的外部電阻器 RILIM 編程的電流閾值進(jìn)行比較。下面的表 8-3 列出了 RILIM 的常見電流限制閾值 (ILIM) 及其對(duì)應(yīng)的電阻器阻值。不建議將該器件的 ILIM/SS 引腳懸空。
| RILIM | ILIM（典型值） |
|---|---|
| 18k? | 1.3 A |
| 20k? | 1.2 A |
| 22k? | 1.1A |
| 24k? | 1.0A |
| 27k? | 900 mA |
| 30k? | 800mA |
| 35k? | 700 mA |
| 40k? | 600mA |
| 50k? | 500mA |
| 62k? | 400mA |
| 85k? | 300mA |
| 127k? | 200mA |
| 261k? | 100mA |
在發(fā)生瞬態(tài)過(guò)載或短路情況時(shí)，如果 SS/ILIM 引腳上產(chǎn)生的電壓驟降低于 2.5V（典型值），則器件將其視為“軟短路”情況。在軟短路中，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入間斷模式：在達(dá)到編程的 OCP 閾值時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將關(guān)閉 100ns（典型值），然后重試驅(qū)動(dòng)。如果 OCP 再次跳閘，則循環(huán)繼續(xù)。該重試在 SW1 和 SW2 的整個(gè) TON 時(shí)間內(nèi)持續(xù)發(fā)生，直到 OCP 不跳閘或觸發(fā)“硬短路”。在 OCP 重試事件期間，兩個(gè) FET 都關(guān)閉，瞬態(tài)峰值電流可能會(huì)高于 OCP 限制。
如果電壓驟降超過(guò) 2.5V（典型值），則器件將其視為“硬短路”情況。硬短路 OCP 閾值固定為 5A（典型值）。如果硬短路狀態(tài)持續(xù)時(shí)間超過(guò) 200μs，則表明系統(tǒng)處于嚴(yán)重的短路故障狀態(tài)，清除短路之后，器件會(huì)將軟啟動(dòng)電容器完全放電并進(jìn)入軟啟動(dòng)。請(qǐng)注意，觸發(fā)硬短路 OCP 的響應(yīng)時(shí)間為 65ns（典型值）。