ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
推挽式轉(zhuǎn)換器電路中的電容器通常是片式多層陶瓷芯片 (MLCC) 電容器。與許多高速 CMOS IC 一樣，該器件需要一個(gè) 100nF 的旁路電容器。確保該電容器放置在距 SN6507 VCC 引腳 2mm 的范圍內(nèi)。
在快速開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間，變壓器初級(jí)側(cè)中心抽頭處的輸入大容量電容器支持流入初級(jí)繞組的大電流。為實(shí)現(xiàn)最小的紋波，應(yīng)使該電容器處于 1μF 至 10μF 的范圍內(nèi)，最好是 10μF。將該電容器放置在靠近變壓器初級(jí)繞組中心抽頭的位置，以盡量減小引線電感。如果放置在 PCB 的與變壓器相反的一側(cè)，則可以在同一層并靠近變壓器中心抽頭放置一個(gè)額外的 100nF 電容器。為這些電容器與變壓器中心抽頭之間的每個(gè)連接使用兩個(gè)并聯(lián)過(guò)孔，以確保實(shí)現(xiàn)低電感路徑。
整流器輸出端的大容量電容器可使輸出電壓變得平滑。在 1μF 至 10μF 的范圍內(nèi)設(shè)置該電容器。為避免在從軟啟動(dòng)到穩(wěn)態(tài)的轉(zhuǎn)換過(guò)程中達(dá)到 OCP，建議輸出電容器 COUT 小于連接到 SS/ILIM 引腳的 CSS 的 10 倍。否則，如果由于 CSS 值較小而導(dǎo)致軟啟動(dòng)時(shí)間較短，則輸出電容器僅被部分充電，并且在器件退出軟啟動(dòng)模式后的第一個(gè)開(kāi)關(guān)周期中會(huì)出現(xiàn)高電流尖峰。
如果在嘈雜的環(huán)境中工作，則可以將值處于 1nF 和 4.7nF 之間的可選電容器連接到 SN6507 的控制引腳以進(jìn)行濾波。
如果使用 LDO，則不一定需要在 LDO 輸入端增加一個(gè)小電容。不過(guò)，良好的模擬設(shè)計(jì)實(shí)踐表明使用 47nF 至 100nF 的較小值可以改善穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)和噪聲抑制。
如果使用 LDO，則 LDO 輸出端的附加電容器會(huì)緩沖穩(wěn)壓輸出電源，以供后續(xù)隔離器和收發(fā)器電路使用。輸出電容器的選擇取決于數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 LDO 穩(wěn)定性要求。不過(guò)，在大多數(shù)情況下，4.7μF 至 10μF 范圍內(nèi)的低 ESR 陶瓷電容器可以滿足這些要求。
電感器僅用于占空比功能。可以通過(guò)Equation2 計(jì)算最小電感器感值 (LMIN)。更高的電感可以實(shí)現(xiàn)更佳的調(diào)節(jié)和更低的電壓紋波，但相應(yīng)地需要尺寸更大的電感器。理想電感值是通過(guò)考慮調(diào)節(jié)性能和尺寸之間的折衷來(lái)確定的。
例如，當(dāng) VOUT = 15V、VIN TYP = 15V、VIN MAX = 18V、ILOAD MIN = 250mA、fSW = 1MHz、D = 0.25 時(shí)，計(jì)算得出的最小電感是 50μH。