ZHCSM56F September 2020 – August 2024 LMG3422R030 , LMG3426R030 , LMG3427R030
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
GaN 器件具有極低的輸出電容,能夠在高 dv/dt 的情況下快速開關(guān),因此具有非常低的開關(guān)損耗。為了保持這種低開關(guān)損耗,必須最大限度減少向輸出節(jié)點(diǎn)添加的額外電容??筛鶕?jù)該等指南,最大限度減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的 PCB 電容: