ZHCSM56F September 2020 – August 2024 LMG3422R030 , LMG3426R030 , LMG3427R030
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
關(guān)斷狀態(tài) FET 的作用類似二極管，能夠在阻斷一個(gè)方向（第一象限）的電流的同時(shí)，允許另一個(gè)方向（第三象限）的電流，并且能夠產(chǎn)生類似二極管的相應(yīng)壓降。不過，F(xiàn)ET 也能夠在壓降顯著降低的導(dǎo)通狀態(tài)下，傳導(dǎo)第三象限電流。理想二極管模式（IDM）是指通過控制 FET 進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)的方式阻斷第一象限電流，通過進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的方式傳導(dǎo)第三象限電流，從而實(shí)現(xiàn)理想的較低壓降。
無論是正常情況還是故障情況下，電源轉(zhuǎn)換器中都能經(jīng)常看到 FET 關(guān)斷狀態(tài)第三象限電流。如 “GaN FET 操作定義”所述，GaN FET 本身并不具有傳導(dǎo)關(guān)斷狀態(tài)第三象限電流的 p-n 結(jié)體二極管。相反，LMG342xR030 的關(guān)斷狀態(tài)第三象限壓降比 p-n 結(jié)壓高出數(shù)倍，這可能會(huì)影響正常運(yùn)行時(shí)的效率與故障條件下的器件耐用性。
為了提高器件在 GaN FET 過溫故障情況耐用性，LMG342xR030 器件實(shí)現(xiàn)了 GaN FET 過溫關(guān)斷理想二極管模式（OTSD-IDM）功能，詳見“過溫關(guān)斷保護(hù)”。OTSD-IDM 功能詳見后續(xù)部分。