GaN 器件具有極低的輸出電容，能夠在高 dv/dt 的情況下快速開關(guān)，因此具有非常低的開關(guān)損耗。為了保持這種低開關(guān)損耗，必須最大限度減少向輸出節(jié)點(diǎn)添加的額外電容。可根據(jù)該等指南，最大限度減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的 PCB 電容：
- 最大限度減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)平面和其他電源與接地平面之間的重疊。
- 使高壓側(cè)器件下的 GND 返回路徑更細(xì)，同時(shí)保持低電感路徑。
- 選擇具有低電容的高壓側(cè)隔離器集成電路與自舉二極管。
- 將功率電感器盡可能靠近 GaN 器件。
- 功率電感器必須采用單層繞組設(shè)計(jì)，以便最大限度減小繞組內(nèi)電容。
- 如果無法采用單層電感器，可考慮在初級(jí)電感器與 GaN 器件之間放置一個(gè)小型電感器，以便有效屏蔽 GaN 器件的額外電容。
- 如果采用背面散熱器，則應(yīng)盡可能減少底部銅層的開關(guān)節(jié)點(diǎn)銅覆蓋面積，以便改善散熱效果。