ZHCSV83 March 2024 LMG3425R030
PRODUCTION DATA
LMG3425R030 是一款具有集成柵極驅(qū)動器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復(fù)和超低輸出電容，可在基于橋的拓?fù)渲蝎@得高效率。直接驅(qū)動架構(gòu)適用于通過集成式柵極驅(qū)動器直接控制 GaN 器件。相較傳統(tǒng)的級聯(lián)方法，該架構(gòu)具有更為出色的開關(guān)性能，有助于解決 GaN 應(yīng)用中的一系列難題。
集成驅(qū)動器可確保器件在漏極壓擺率 時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。集成驅(qū)動器可保護(hù) GaN 器件免受過流、短路、過熱、VDD 欠壓和高阻抗 RDRV 引腳的影響。集成式驅(qū)動器還能夠感測芯片溫度，能夠通過一個(gè)經(jīng)調(diào)制的 PWM 信號發(fā)出溫度信號。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結(jié)，因此沒有反向恢復(fù)電荷。然而，GaN 器件仍然會像 p-n 結(jié)體二極管一樣從源極導(dǎo)通到漏極，但壓降更高，導(dǎo)通損耗更高。因此，必須在 LMG3425R030 GaN FET 關(guān)斷時(shí)盡可能縮短源漏導(dǎo)通時(shí)間。理想二極管模式功能可自動盡可能地減少 GaN FET 軟開關(guān)導(dǎo)通沿上發(fā)生的源漏導(dǎo)通損耗，類似于理想死區(qū)時(shí)間控制。